利普思完成近亿元B轮融资，扬州工厂2027年投产

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国产碳化硅（SiC）功率模块企业利普思半导体最近拿到了近亿元B轮融资，出资方为上海新微资本。硬氪了解到，这笔钱主要投向AIDC相关产品的研发，以及全球市场的推广。

利普思（Leapers）2019年11月在江苏无锡成立，做的是第三代半导体碳化硅功率模块的研发、制造和销售，面向高压、大电流场景提供高功率密度、高可靠性的功率模块及配套方案。

AI数据中心正在往800V HVDC架构升级，新能源汽车的800V高压平台越来越普遍，光储充对能量转换效率的要求也在抬高，碳化硅在高压、高频、高温场景里的价值随之显现。和传统硅基器件比，它的开关频率更高、击穿电场强度更高、开关损耗更低、转换效率更高，已经是能源基础设施升级和算力建设的重要基础材料之一。

Yole Group的数据显示，2024年全球碳化硅功率器件市场规模约34亿美元，到2030年预计接近100亿美元，年复合增长率约20.3%。国内2024年第三代半导体功率电子市场规模约176亿元，以SiC、GaN器件为主，其中SiC占大头；到2029年预计超过460亿元。

利普思董事长兼CEO丁烜明说，行业需求在涨，2026下半年以来公司经营业绩同比增幅超过50%，新增合作客户超过30家，固态变压器和固态断路器产品上达成的战略合作超过10家。

丁烜明表示，技术上利普思已经搭起一整套自主SiC模块正向设计体系，是国内第一家采用自主高导热环氧灌封方案的SiC功率模块厂商。在压低模块杂感和损耗、提升耐高温耐高压特性、延长循环功率寿命这些方面，公司握有多项自主知识产权。

产品落地方面，利普思的模块已经用在电动重卡、工程机械、船舶、低空飞行器等高压电驱系统里，超充、风电光储、固态变压器（SST）、固态断路器（SSCB）、变频器和轨交电源等场景也有应用。

原有应用之外，AIDC是利普思正在重点押注的新市场。多款1200V至3300V的SiC功率模组已经面向AIDC相关应用送样，部分项目进入可靠性验证阶段，相关产品预计2027年会有比较明显的放量。

下一代功率模块的封装技术创新也在推进。今年6月德国PCIM展会上，利普思发布了PCB嵌入式SiC模块新方案，芯片直接嵌进PCB板内，目的是优化电气连接、降低系统杂散电感、提高系统集成度。围绕这个方向，公司还在摸索相关技术在电源领域的用法。

全球化是利普思的另一块业务底子。丁烜明告诉硬氪，公司已经建起覆盖中国、日韩、欧洲、北美的研发及市场网络，研发中心设在无锡、上海、深圳和日本，欧洲则设了海外销售中心。核心技术团队来自蔚来、三菱、东芝、英飞凌、安森美等企业，在功率半导体研发、产品应用和国际市场拓展上都有经验。目前海外营收占比已接近一半。

产能上，利普思正在加快扬州车规级功率半导体模块工厂的建设，预计2027年4月通线投产。达产后年产能预计150万只SiC模块。到那时，无锡工厂加扬州工厂合计将达到年产220万只SiC的规模，为第三代功率半导体的需求爆发做准备。

（图源/企业）

下面是硬氪与丁烜明的交流节选：

硬氪：AIDC场景对碳化硅功率模块的需求有什么不同？相关产品目前走到哪一步了？

丁烜明：AIDC供电链路分五级。10kV/35kV中压交流先经固态变压器SST直接转成800V直流，工频变压器、低压UPS、PDU都省掉了；800V直流母线再通过SSCB等固态保护器件向机架配电，母线上可以直接接储能、BBU，用来替代传统UPS；机架内部用高变比LLC降到54V/48V或12V中间总线；最后由板级多相VRM输出0.6~1.0V给GPU/CPU核心，5V/3.3V供I/O及外围。

我们盯的是中压交流到800V直流这一段，核心设备是SST变换环节，再配上800V侧的SSCB保护环节。中压侧高频、高温的工况下，碳化硅的优势最突出。

眼下我们已经做出1200V、1700V、2300V、3300V等多个电压等级的产品，向国内外多家头部客户送样，部分项目进入可靠性验证阶段。AIDC设备单机功率通常有数兆瓦，对应的功率模块需求量也不小。我们正在对接国内外电力设备厂商，有机会进入英伟达供应链的项目会优先推。

不过送样到规模化采购还得等时间。我们预计相关业务在2027年第四季度左右会有比较明显的放量。

硬氪：下一代智能SiC PCB功率模块这块，公司有哪些布局？这类产品的技术优势和挑战各是什么？

丁烜明：PCB嵌入式功率模块的思路，是把键合线和独立模块外壳取消，封装功能并进PCB叠层，芯片直接埋进板内，用微孔电镀铜做三维互连。提升主要有三方面：功率回路电感从传统键合模块的10~20nH降到1~2nH，模块体积能缩小一半以上；键合线去掉之后，功率循环里最主要的失效问题也解决了，寿命能达到传统模块的好几倍；另外这种对称叠层结构本身就适合双面散热。

真正的坎在热和力上，电气倒不算。SiC 的热膨胀系数大约 4ppm/K，铜是 17，FR4 还要更高；温度循环一起来，界面剪切应力就堆在微孔底部和芯片边缘，脱粘、空洞、分层随之出现，量产卡就卡在这里。800V 以上的绝缘和局部放电是另一道关：埋入结构里空间本来就紧，树脂和微孔侧壁成了场强集中的地方。散热反而好办，铜柱直通、内嵌氮化硅陶瓷都能顶上去。还有一点常被漏掉：电感压到 2nH 以下，短路电流上升率更高，保护窗口缩到 1 微秒以内，驱动和保护得放在一起重新设计。

落地节奏上，AIDC电源是利普思选定的第一站。这一场景的800V与车载800V平台电压等级相同，工艺能够复用；但认证周期更短、迭代更快，连续满载的工况也更贴近真实负载。先把工艺和良率跑通，再向车载和电源方向复制，是这家公司的推进思路。

投资人观点

新微资本表示，AI算力基础设施持续扩容、新型电力系统建设提速，SiC模块的价值正日益凸显。利普思依靠自主正向设计与先进封装技术，产品在高压、大电流工况下优势突出，已在电网、重卡、储能、工业等场景积累了扎实的量产记录和客户口碑，并成功打入海外头部供应链。新微资本在功率半导体领域已围绕材料、器件、封装制造和下游应用完成全链条布局，SiC模块是其中重要一环。新微资本称，看好利普思在AIDC场景的成长空间，将持续为其赋能。