富芯半导体碳化硅衬底项目启动下一轮融资,主攻6/8寸导电型衬底
一片六英寸导电型碳化硅衬底,要经过长周期高温长晶、定向切片、研磨和抛光,才能交到外延厂手上。碳化硅单晶主要采用物理气相传输法生长,原料在两千摄氏度以上的高温环境中升华并在籽晶表面重新结晶,一炉生长周期以天计;微管、位错或包裹体一旦超标,整根晶锭就可能报废。晶锭还需经过定向、切片、研磨和抛光,满足厚度、平整度、翘曲与表面
六英寸导电型碳化硅衬底从晶锭到成品,中间要过好几道关:高温长晶周期以天计,之后还有定向切片、研磨与抛光,才能交给外延厂。单晶生长走的是物理气相传输法,原料要在两千摄氏度以上升华,再于籽晶表面重新结晶。微管、位错或包裹体只要超标,一根晶锭就整体报废。切片研磨抛光之后,厚度、平整度、翘曲和表面粗糙度都达标,才进得了外延与器件环节。下游做车主驱逆变器、光伏储能变流器、充电桩模块的厂商,最在意的是缺陷密度、尺寸一致性和交付稳不稳,这直接牵动器件良率与成本。车规级供应商的认证周期,一般要两到三年。放在整条碳化硅产业链里看,这一段节奏最慢,固定资产投入也最重。
深圳市宝安区科技创新局主办的“科创宝安·创投荟”第七期半导体、精密制造专场于2023年10月27日举行,富芯半导体(深圳)有限公司是当天八家路演企业之一。该局公开的活动信息写明,这家公司主做6/8寸导电型碳化硅衬底片的研发、生产与销售,制程覆盖从碳化硅晶体生长到衬底片加工。项目方提供的信息显示,公司眼下正推进下一轮融资;轮次、金额、估值和资金用途,公开材料里都还没有披露。
三项专利,盯的都是长晶炉里的具体毛病
富芯半导体的产品卡在衬底这一环,公开材料里看不到它往器件设计或模组封装延伸的说法。按宝安区科技创新局的公开记载,该公司2022年8月开始试产,已具备晶锭生长中小型生产规模的条件,产品目前达到量产标准。工商登记信息显示,相关业务有一个承接主体——全资子公司富芯晶圆制造(深圳)有限公司,这家公司由富芯半导体(深圳)有限公司于2022年4月20日出资设立,注册地落在深圳市宝安区航城街道后瑞第二工业区。肇庆市端州区人民政府的公开简报记录赴深拜访活动时,用的也是这个主体,称其“主要研发、生产及销售导电型碳化硅衬底片,生产制程从碳化硅晶体生长到衬底片加工”。
想看这家公司的技术底细,国家知识产权局公开的专利申请信息比“技术平台”这种说法更实在。富芯晶圆制造(深圳)有限公司在2024年12月一口气申请了三项发明专利,全部与碳化硅长晶直接相关。“降低碳化硅晶体缺陷的制备方法”(公开号CN119776979A)的做法是:在碳化硅原料上方依次装填纯度99%以上的导电碳化硅层与陶瓷层,坩埚盖上接籽晶,针对的是包裹体与位错缺陷控制。“用于籽晶粘接的结构和工艺方法”(公开号CN119800521A)在坩埚上盖、石墨层与籽晶之间加胶黏层,再配上限位件、压块和缓冲层,…解决籽晶热压粘接时的偏移与固化不均。“籽晶粘接胶水及其制备方法和应用”(公开号CN119736051A)拿水性环氧树脂、无水乙醇等组分做配比,胶水以喷涂方式用于热压固化工艺,指向粘接效率、涂覆均匀性和晶体生长质量。天眼查公开口径显示,该主体在不同时间点统计到的专利信息为13条至15条,另有商标信息3条、行政许可2项,专利数量随时间增加。
这三项申请都落在长晶炉内的温场、籽晶固定与缺陷控制上,属于工艺细节层面的改进。不过专利申请和量产良率是两个口径,公开材料里查不到富芯半导体或富芯晶圆制造的位错密度实测值、长晶良率、月产能、客户验证通过时间以及出货量。2025年7月31日,第六期“深创扬帆”项目路演对接会在深圳扬州·创新中心举办,项目方在路演材料中自述“产品位错密度等指标优于多数同行”,并提到要靠8寸大尺寸化继续压低单位成本;这番话是项目方在融资对接场合的自我陈述,目前还缺第三方检测或下游客户验证材料来支撑。
8英寸切换在推着需求走,价格和认证周期却在往下压
导电型碳化硅衬底往下一站是外延片与功率器件,终端集中在新能源汽车800V高压平台、光伏组串式逆变器、储能PCS和大功率充电设施。弗若斯特沙利文按仅外销口径统计,2024年全球碳化硅衬底市场规模约88亿元人民币,导电型衬底占约75%、规模约66亿元;2025年导电型衬底规模增至约87亿元;该机构预测2030年全球碳化硅衬底市场将增至585亿元,2024至2030年复合增长率约37.1%。尺寸迭代是这条增长曲线上比较确定的变量:公开行业资料显示,8英寸衬底相比6英寸可把有效芯片数量提升约90%,单位芯片成本降低30%以上。能不能把8英寸高良率量产跑通,被看作衬底厂商进入主流供应链的关键门槛。
政策和标准也在同一时间窗口往前推。工信部、市场监管总局2025年8月发布《电子信息制造业2025—2026年稳增长行动方案》,提出推动碳化硅等宽禁带半导体器件产业发展;国家发展改革委2025年5月《关于促进大功率充电设施科学规划建设的通知》强调加快高压碳化硅模块国产化替代;2026年2月,国家标准委与工信部批准两项针对碳化硅MOSFET的推荐性国家标准计划项目。行业研究资料同时指出,当前市场呈结构性分化:普通6英寸中低端晶片产能过剩,高品质车规级6英寸与8英寸产品供给相对紧缺。
公开数据还记下了这轮周期的另一面。6英寸导电型碳化硅衬底价格从2022年每片一万余元,到2025年一度跌破两千元;有公开统计显示,国内衬底企业2023至2025年营收总变化下降超过10%,产业链利润普遍承压。竞争格局上,弗若斯特沙利文统计的2024年全球前五大碳化硅衬底制造商按外销收入合计占68%,Wolfspeed、天岳先进、天科合达、Coherent、SK Siltron分别占23.5%、16.7%、11.3%、10.4%与6.1%;日本富士经济2026年3月报告显示,2025年全球导电型碳化硅衬底市场中,中国厂商合计份额已超过40%。富芯半导体没有出现在上述公开份额名单里,宝安区科技创新局对其生产规模的描述是“中小型”。
从公开材料看,这家公司的生意落在衬底片的研发、生产与销售上,制程从长晶一直做到加工,瞄准的是新能源汽车、光伏等高端应用背后的外延与器件环节。衬底厂通常要跟外延厂、器件模块厂以及下游车企一起做联合定制开发,中间还要过设备调试、工艺优化、客户认证几道关。不过到目前为止,公开渠道里查不到富芯半导体的客户名单、订单金额、营收、送样验证结果和产能利用率,也没有它跟头部器件厂商供应关系的披露。对一家正从试产往量产走的项目来说,这类数据什么时候放出来,比市场规模本身更能说明它现在站在哪一步。
团队、股权变动与可追踪的落地节点
团队情况目前多出自政府主办的路演活动材料。宝安区科技创新局公开信息记载,富芯半导体的核心技术团队有中国台湾地区科研机构的物理研究背景,执行长陈远帆博士曾在该机构做博士后研究,在晶体生长领域有25年研究及工作经验。扬州市人民政府公开的“深创扬帆”路演材料则称,富芯晶圆制造的核心技术团队由欧盟碳化硅材料实验室专家、中国台湾地区及内地成熟团队组成,走的是优化晶体生长工艺、提高材料利用率来压低成本的路子。两处说法对团队来源的归纳略有出入,但都把能力落在晶体生长这个具体环节上。
从工商登记信息里,能梳理出一条治理结构的变更时间线。富芯半导体(深圳)有限公司注册于2022年1月13日,注册资本1000万元,实缴595万元,地址落在深圳市福田区天安创新科技广场二期,目前经营状态为在营。到了2026年4月22日,该公司在负责人、高级管理人员和投资人三项上做了变更:法定代表人一栏由罗春秀换成张祥新,张祥新还同时备案为董事、经理;股东名单中,“亿生福国际投控(深圳)有限公司”退出,接替者是“亿世源半导体(深圳)有限公司”,其他股东则为亿生源技术管理(深圳)合伙企业(有限合伙)、鹏芯源半导体(深圳)有限公司以及深圳市彤富鑫科技有限公司。同一套公开工商信息还披露,母体企业的员工人数是2人,2025年企业规模划型归为微型;至于这一口径和“晶锭生长中小型生产规模条件”在统计范围上究竟差在哪里,公开材料并未作出说明,生产环节主要还是由全资子公司来承担。
区域与合作层面的公开节点能串成一条线。肇庆市端州区人民政府招商简报记载,2025年12月10日区委书记带队赴深圳拜访富芯半导体(深圳)有限公司,了解企业发展历程、技术优势与市场布局;在当地政企交流活动中,富芯半导体(深圳)有限公司董事陈淑玲曾围绕端州高新技术产业布局与企业服务公开发言。2026年5月27日,富芯半导体(深圳)有限公司全资设立富芯半导体(江西)有限公司,注册资本500万元,落在江西省吉安市吉安县凤凰园区创新创业园,经营范围包含电子专用材料研发制造、半导体器件专用设备制造销售等。融资这一侧,除了2023年10月创投荟路演(八家企业共发布融资需求4.3亿元,深圳创新投、深圳高新投等30家机构参与,深交所科融通V-Next平台线上展示)和2025年7月“深创扬帆”路演对接(彭年创投、力合金融等机构参与),公开渠道没有历史机构融资轮次、投资方和本轮财务顾问的披露。
把这些节点摆到一起看,富芯半导体眼下能被引用的事实集中在产品定义、试产时间、专利布局、团队来源、股权与区域布局,以及两次公开融资对接上;还没披露的是良率、产能、客户验证、营收和本轮融资条款。对盯着碳化硅衬底赛道的机构来说,后面要持续核对的是8英寸产品的客户验证进展、江西基地的产线落地节奏、量产良率与出货数据的首次公开,以及本轮融资有没有完成交割。这些节点出不出现、以什么口径出现,比任何对赛道的判断都更直接地说明项目走到了哪一步。