三星电子3D Cube-H定档明年初：混合键合瞄准AI芯片订单

韩媒 ZDNET Korea 11月10日报道，三星电子已经定下时间表，争取在明年初把先进封装技术“3D Cube-H”的开发做完。

所谓3D Cube，是把多颗芯片摞起来堆叠的一种先进封装方案。芯片过去是平铺排列，3D Cube则能在同样面积里塞进更多晶体管。三星电子先做出了采用热压键合（TC Bonding）的3D Cube-T，眼下正在攻关混合键合（Hybrid Bonding）版本的3D Cube-H。

这项技术主要冲着超高性能 AI 芯片去。三星电子的晶圆代工业务若能把它开发成功，就有机会从大客户手里接下订单。

按照一位知情业内人士的说法，三星电子之前对面向 3D 系统（逻辑）芯片的混合键合技术投入了不少开发力量。该人士称，首个设计套件预计明年初完成，随后公司就会启动与潜在客户的评估工作。

三星电子在3D Cube-H上一直攻的是端子间距（Pitch）约 6 μm 的方向。对照来看，眼下用传统 TC 键合技术的芯片，端子间距最少也在 25 μm 左右，3D Cube-H 要小得多。

另有半导体行业人士指出，混合键合技术能明显提升芯片间的连接密度，每比特能耗也会随之下降。散热表现上，这项技术同样优于 TC 键合。