利普思完成近亿元B轮融资：SiC模块厂押注AIDC，海外营收近半

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硬氪从利普思半导体（下称“利普思”）方面获悉，这家国产碳化硅（SiC）功率模块厂商近日完成近亿元B轮融资，上海新微资本为本轮新投资方。资金主要投向两个方向：AIDC相关产品的研发，以及全球市场的推广。

利普思（Leapers）2019年11月在江苏无锡成立，主攻第三代半导体碳化硅功率模块的研发、制造与销售。面向高压、大电流等场景，公司提供的是高功率密度、高可靠性的功率模块及配套解决方案。

需求端的推动来自几处：AI数据中心朝800V HVDC架构升级，新能源汽车800V高压平台加快普及，光储充对能量转换效率的要求也在抬高。碳化硅在高压、高频、高温用电场景中的价值因此越来越明显。和传统硅基器件相比，它的开关频率更高、击穿电场强度更高、开关损耗更低、转换效率也更高，正在成为能源基础设施升级与算力建设的重要基础材料之一。

Yole Group的数据显示，2024年全球碳化硅功率器件市场规模约34亿美元，到2030年预计接近100亿美元，年复合增长率约20.3%。国内看，2024年中国第三代半导体功率电子市场规模约176亿元，其中以碳化硅为主的SiC、GaN器件是主要构成；这一数字预计到2029年超过460亿元。

利普思董事长兼CEO丁烜明称，行业需求在涨，公司2026下半年以来的经营业绩同比增幅超过50%，新合作客户超过30家。固态变压器和固态断路器这两类产品上，达成战略合作的客户超过10家。

丁烜明表示，技术层面，利普思已搭建起一整套自主的SiC模块正向设计体系，也是国内首家采用自主高导热环氧灌封方案的SiC功率模块厂商。围绕降低模块杂感和损耗、提升耐高温耐高压特性、延长循环功率寿命，公司握有多项自主知识产权。

产品落地方面，利普思的模块已用在电动重卡、工程机械、船舶、低空飞行器等高压电驱系统里，超充、风电光储、固态变压器（SST）、固态断路器（SSCB）、变频器和轨交电源等场景也有覆盖。

AIDC是利普思在既有应用之外重点押注的新市场。多款1200V至3300V的SiC功率模组已面向AIDC相关应用送样，部分项目走到可靠性验证阶段，相关产品预计2027年出现较明显的放量。

下一代功率模块的封装创新也在推进。今年6月德国PCIM展会上，利普思发布PCB嵌入式SiC模块新方案：芯片直接嵌入PCB板内，目的是优化电气连接、压低系统杂散电感、提高系统集成度。公司还在摸索这一技术在电源领域的用法。

全球化是利普思另一块业务底盘。丁烜明告诉硬氪，公司已建成覆盖中国、日韩和欧洲、北美的研发及市场网络，研发中心设在无锡、上海、深圳和日本，海外销售中心落在欧洲。核心技术团队来自蔚来、三菱、东芝、英飞凌、安森美等企业，在功率半导体研发、产品应用和国际市场拓展上都有积累。目前海外营收占比已接近一半。

产能上，利普思正在加快建设扬州车规级功率半导体模块工厂，预计2027年4月通线投产。达产后年产能预计150万只SiC模块。届时无锡工厂与扬州工厂合计，年产能将达到220万只SiC，为第三代功率半导体的需求爆发做铺垫。

（图源/企业）

以下是硬氪与丁烜明的交流节选：

硬氪：AIDC场景对碳化硅功率模块的需求有哪些不同？相关产品目前进展到哪一步？

丁烜明：AIDC供电链路分五级。10kV/35kV中压交流先经固态变压器SST直转800V直流，工频变压器、低压UPS、PDU都省掉了；800V直流母线通过SSCB等固态保护器件向机架配电，母线可直接接入储能、BBU，替代传统UPS；机架内用高变比LLC降压到54V/48V或12V中间总线；最后由板级多相VRM输出0.6~1.0V给GPU/CPU核心，5V/3.3V供I/O及外围。

我们盯的是中压交流到800V直流这一段，核心设备是SST变换环节，再配上800V侧的SSCB保护环节。中压侧高频、高温的工况下，碳化硅的优势最突出。

产品上，1200V、1700V、2300V、3300V等多个电压等级都已开发出来，并向国内外多家头部客户送样，部分项目进入可靠性验证阶段。AIDC设备单机功率通常有数兆瓦，对功率模块的需求量也大。公司正在对接国内外电力设备厂商，有机会进入英伟达供应链的项目会优先推进。

不过从送样到规模化采购还要时间。公司预计，相关业务在2027年第四季度左右会迎来比较明显的放量。

硬氪：下一代智能SiC PCB功率模块上，公司有哪些布局？这类产品的技术优势和挑战各是什么？

丁烜明：PCB嵌入式功率模块的思路是取消键合线和独立模块外壳，把封装功能并进PCB叠层，芯片直接埋入板内，再用微孔电镀铜做三维互连。提升主要有三方面：功率回路电感从传统键合模块的10~20nH降到1~2nH，模块体积能缩小一半以上；键合线去掉后，功率循环里最主要的失效问题也解决了，寿命可达传统模块的好几倍；对称叠层结构本身还适合双面散热。

真正的量产门槛落在热和力上，而非电气。SiC 的热膨胀系数大约为 4ppm/K，铜为 17，FR4 还要更高；在温度循环中，界面剪切应力会聚集到微孔底部与芯片边缘，脱粘、空洞、分层也就跟着出现。绝缘与局部放电是第二道坎，尤其在 800V 以上：埋入结构内部空间狭窄，树脂和微孔侧壁容易成为场强集中处。散热问题反而好办，铜柱直通和内嵌氮化硅陶瓷都能派上用场。还有一点容易被忽视：电感一旦压到 2nH 以下，短路电流上升率就会变得更高，保护窗口缩到 1 微秒以内，驱动与保护得放在一起重新设计。

落地顺序上，AIDC电源是利普思选定的第一个切入点。这一场景的800V与车载800V平台电压等级相同，工艺能够复用；认证周期更短、迭代更快，连续满载的工况也更贴近真实负载。按公司的思路，先把工艺和良率跑通，再向车载和电源领域复制。

投资人观点

新微资本表示，AI算力基础设施持续扩容、新型电力系统建设提速，SiC模块的价值随之显现。利普思依靠自主正向设计与先进封装技术，产品在高压、大电流工况下表现突出，已在电网、重卡、储能、工业等场景积累起扎实的量产记录和客户口碑，并进入海外头部供应链。新微资本在功率半导体领域已围绕材料、器件、封装制造和下游应用做全链条布局，SiC模块是其中重要一环。该机构称看好利普思在AIDC场景的成长空间，将持续为其赋能。