利普思完成近亿元B轮融资：SiC模块厂加码AIDC，海外营收近半

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国产碳化硅（SiC）功率模块企业利普思半导体（下称“利普思”）近期拿到近亿元B轮融资，上海新微资本为这一轮的新进投资方。硬氪获悉，资金主要投向两块：AIDC相关产品的研发，以及全球市场的推广。

利普思（Leapers）2019年11月成立，总部设在江苏无锡。公司主攻第三代半导体碳化硅功率模块的设计、制造与销售，面向高压、大电流场景提供高功率密度、高可靠性的模块产品及配套方案。

需求端的推力来自几个方向：AI数据中心正向800V HVDC架构切换，新能源汽车800V高压平台加快普及，光储充对能量转换效率的要求也一路走高。这些高压、高频、高温的用电场景，让碳化硅的价值越来越明显。跟传统硅基器件比，它的开关频率更高、击穿电场强度更高、开关损耗更低、转换效率更高，已经成为能源基础设施升级和算力建设的关键基础材料之一。

Yole Group的数据显示，2024年全球碳化硅功率器件市场约34亿美元，到2030年预计接近100亿美元，年复合增长率约20.3%。国内市场方面，2024年中国第三代半导体功率电子市场规模约176亿元，其中以碳化硅为主的SiC、GaN器件是主要构成；到2029年，这一数字预计超过460亿元。

利普思董事长兼CEO丁烜明称，行业需求往上走，公司2026下半年以来的经营业绩同比增幅超过50%，新增合作客户30多家。固态变压器、固态断路器两条产品线上，达成战略合作的客户超过10家。

谈技术积累，丁烜明表示利普思已搭起一套自主的SiC模块正向设计体系，也是国内第一家采用自主高导热环氧灌封方案的SiC功率模块厂商。在压低模块杂感和损耗、提升耐高温耐高压特性、延长循环功率寿命等方面，公司握有多项自主知识产权。

产品落地面上，利普思的模块已经进入电动重卡、工程机械、船舶、低空飞行器等高压电驱系统，也用于超充、风电光储、固态变压器（SST）、固态断路器（SSCB）、变频器和轨交电源等场景。

老应用之外，AIDC是利普思眼下重点押注的新市场。公司已有多款1200V至3300V的SiC功率模组向AIDC相关应用客户送样，部分项目走到可靠性验证阶段，相关产品预计2027年会有比较明显的放量。

AIDC之外，下一代功率模块的封装创新也在推进。今年6月的德国PCIM展会上，利普思亮出了PCB嵌入式SiC模块新方案：芯片直接嵌进PCB板内，目的是优化电气连接、降低系统杂散电感，同时提高系统集成度。围绕这条路线，公司还在摸索相关技术在电源领域的用法。

全球化的研发与市场网络，是利普思的另一块底子。丁烜明告诉硬氪，公司已在中国、日韩、欧洲、北美铺开研发及市场网络，无锡、上海、深圳和日本设研发中心，欧洲设海外销售中心。核心技术团队来自蔚来、三菱、东芝、英飞凌、安森美等企业，在功率半导体研发、产品应用和国际市场拓展上都有经验。目前海外营收占比已接近一半。

产能上，利普思正在加快扬州车规级功率半导体模块工厂的建设，预计2027年4月通线投产。达产后年产能预计150万只SiC模块。届时无锡工厂加扬州工厂，合计年产能将达220万只SiC，为第三代功率半导体的需求爆发备好弹药。

（图源/企业）

下面是硬氪与丁烜明的对话节选：

硬氪：AIDC场景对碳化硅功率模块提了哪些不一样的要求？相关产品现在走到哪一步了？

丁烜明：AIDC的供电链路分五级。第一级，10kV/35kV中压交流经固态变压器SST直接转成800V直流，工频变压器、低压UPS、PDU都省掉了；第二级，800V直流母线通过SSCB等固态保护器件向机架配电，母线可以直接接储能、BBU，替代传统UPS；第三级，机架内用高变比LLC降压到54V/48V或12V中间总线；最后，板级多相VRM输出0.6~1.0V给GPU/CPU核心，5V/3.3V供I/O及外围。

我们盯的是中压交流转800V直流这一段，核心设备是SST变换环节，再配上800V侧的SSCB保护环节。中压侧高频、高温的工况，正好是碳化硅最能发挥优势的地方。

产品上，1200V、1700V、2300V、3300V等多个电压等级都已经开发出来，并向国内外多家头部客户送样，部分项目进入可靠性验证。AIDC设备单机功率通常有数兆瓦，对应的功率模块需求量不小。我们正在对接国内外电力设备厂商，有机会进入英伟达供应链的项目会优先推。

不过送样到规模化采购，中间还需要时间。我们预计相关业务在2027年第四季度左右会有比较明显的放量。

硬氪：下一代智能SiC PCB功率模块这块，公司目前有哪些布局？这类产品的技术优势在哪，挑战又是什么？

丁烜明：PCB嵌入式功率模块的思路，是把键合线和独立模块外壳都取消，封装功能并进PCB叠层——芯片直接埋进板内，用微孔电镀铜做三维互连。提升主要有三方面：功率回路电感从传统键合模块的10~20nH降到1~2nH，模块体积能缩小一半以上；键合线去掉之后，功率循环里最主要的失效问题也就解决了，寿命能达到传统模块的好几倍；再加上这种对称叠层结构，本身就适合双面散热。

真正的难题出在热和力上，电气倒不算什么。SiC的热膨胀系数大概4ppm/K，铜有17，FR4还在这之上，温度一循环，界面剪切应力就往微孔底部和芯片边缘挤，脱粘、空洞、分层跟着来，量产卡就卡在这儿。800V以上的绝缘和局部放电是另一道坎，埋入结构里空间本来就紧，树脂和微孔侧壁成了场强扎堆的地方。散热反而容易对付，铜柱直通、内嵌氮化硅陶瓷都行。还有个常被漏掉的点：电感压到2nH以下，短路电流上升率会更高，保护窗口缩到1微秒以内，驱动和保护得放一块儿重新做。

落地顺序上，AIDC电源是利普思选定的第一个切入点。这一场景的800V与车载800V平台电压等级相同，工艺能够直接复用；认证周期更短、迭代更快，连续满载的工况也更贴近真实负载。先在这里把工艺和良率跑通，之后再向车载和电源方向复制。

投资人观点

新微资本方面表示，AI算力基础设施持续扩容、新型电力系统建设提速，SiC模块的价值正日益凸显。利普思依靠自主正向设计与先进封装技术，产品在高压、大电流工况下优势明显，已经在电网、重卡、储能、工业等场景积累了扎实的量产记录和客户口碑，并成功进入海外头部供应链。新微资本在功率半导体领域围绕材料、器件、封装制造和下游应用做了全链条布局，SiC模块是其中重要一环。新微资本称，看好利普思在AIDC场景的成长空间，将持续为其赋能。