佳能推FPA-6400ES6a光刻机:400片/小时,套刻精度4.0nm

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IT之家 11 月 11 日消息,11 月 10 日,佳能在日本东京宣布,将于 2026 年 12 月上旬发售面向存储和逻辑芯片的 KrF(IT之家注:氟化氪)扫描式半导体光刻机“FPA-6400ES6a”。 ▲ KrF 扫描式半导体光刻机“FPA-6400ES6a” 官方表示,通过新开发的超高加速度载台缩短驱动时间,

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11月10日,佳能在日本东京对外宣布,面向存储和逻辑芯片的KrF(氟化氪)扫描式半导体光刻机“FPA-6400ES6a”将于2026年12月上旬发售。

佳能推FPA-6400ES6a光刻机:400片/小时,套刻精度4.0nm(配图 1)

这款新品的产能达到每小时400片晶圆。按照佳能官方的说法,新开发的超高加速度载台缩短了驱动时间,是产能提升的关键。

精度方面,佳能称其实现了业界高水平的4.0nm套刻精度。支撑这一指标的有两项新技术:一是在高速驱动时仍能稳定进行高精度位置控制的震动抑制技术,二是降低设备内气流不均匀、让激光光路温度均一化的空调控制技术。

▲ KrF 扫描式半导体光刻机“FPA-6400ES6a”

佳能独有的图像对准系统中还增加了一个可选配的新光源“Hi-ALS(High Alignment Light Source)”。这一光源可根据材料和工艺任意选择合适的对准测量波长,从而在各种半导体制造工艺中完成高精度对准,提升工艺稳定性。另外,设备能在曝光前测出各种工艺中产生的晶圆翘曲量,再通过调整载台上的吸气流量增强对大翘曲晶圆的吸附能力,改善曝光时的翘曲。可对应的翘曲量因此扩大到700μm,对三维器件堆叠及晶圆键合工艺中产生的晶圆翘曲,应对能力也随之增强。

佳能推FPA-6400ES6a光刻机:400片/小时,套刻精度4.0nm(配图 2)佳能推FPA-6400ES6a光刻机:400片/小时,套刻精度4.0nm(配图 3)

▲ 晶圆翘曲改善的示意图(改善前与改善后)

供电设计上,该设备搭载新开发的电力控制技术,把载台减速时产生的再生电力存进电容器,加速时再拿出来用。佳能表示,通过控制来自电源和电容器的电力供给,既保证了超高加速度载台所需的高响应性,也让再生能源得到了有效利用。

设备还配了新开发的高效率电源,以支持超高加速度载台。电源效率提升后,电力损耗下降,冷却机构也随之简化。佳能称,这些技术降低了每片晶圆曝光所需的耗电量,同时兼顾环境保护。

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