佳能FPA-6400ES6a光刻机12月开售：400片/小时，套刻精度4.0nm
2026年11月10日，佳能在东京宣布，将于2026年12月上旬发售面向存储和逻辑芯片的KrF*1扫描式半导体光刻机“FPA-6400ES6a”。 佳能半导体光刻机新产品——KrF扫描式半导体
2026年11月10日，佳能在东京对外公布，面向存储与逻辑芯片的KrF扫描式半导体光刻机“FPA-6400ES6a”定于2026年12月上旬开卖。
这款新品属于佳能半导体光刻机产品线，型号为“FPA-6400ES6a”，采用KrF扫描方式。
生成式AI加速普及，尖端半导体需求随之走高，光刻设备的生产效率也被寄予更高期待。高集成化推进之下，曝光工序数量上升，多层堆叠渐成常态，晶圆翘曲、变形的问题越来越明显。光刻机因此需要适配翘曲幅度更大的晶圆，还要把各层电路图案高精度地对准套刻。佳能这款KrF扫描式新机同时做到每小时400片*2的产能和业界高水平*3的套刻精度，并在图像对准（对位）系统上追加新光源，增强对晶圆翘曲的处理能力，以应对日益复杂多样的半导体制造工艺。
尖端半导体量产所要求的高生产率，以及业界高水平的套刻精度，在这台设备上同时实现。
佳能新开发的超高加速度载台压缩了驱动时间，每小时曝光400片晶圆因此成为可能，产能较前代机型有明显提升*4。与之配套的是两项新技术：一是震动抑制技术，让载台在高速驱动时依然保持稳定、高精度的位置控制；二是空调控制技术，减小设备内气流的不均匀，使激光光路温度趋于一致。两者共同支撑起业界高水平的4.0nm套刻精度。产能与套刻精度兼得，对生产效率和良率的提升都有帮助，也能接住不断增长的尖端半导体量产需求。另外，该设备可与佳能2022年9月发售的半导体光刻机解决方案平台“Lithography Plus”联动，借助佳能积累的半导体制造相关数据，监视、分析设备状态并实施相应的品质管理，从而帮助用户提高生产率。
对准系统新增光源，加上对大翘曲晶圆的适配，使这台设备能服务多种半导体制造工艺。
佳能独有的图像对准系统这次增加了可选配的新光源“Hi-ALS（High Alignment Light Source）”。对准测量波长可依据材料与工艺任意选取，各种半导体制造工艺下都能实现高精度对准，工艺稳定性随之提高。设备还能在曝光前测出各工艺中晶圆产生的翘曲量，再调节载台上的吸气流量，增强对大翘曲晶圆的吸附，改善曝光时的翘曲状况。可对应的翘曲量因此扩大到700μm，三维器件堆叠、晶圆键合工艺中出现的晶圆翘曲也有了更强的应对能力*4。
晶圆翘曲改善示意图：左侧为改善前，右侧为改善后。
再生电力被利用起来，每片晶圆的耗电量随之下降。
“FPA-6400ES6a”用上了佳能新开发的电力控制技术：载台减速时产生的再生电力存入电容器，加速时再拿出来使用。电源与电容器的供电经过调配，超高加速度载台所需的高响应性得以保证，再生能源也得到有效利用。设备还配有新开发的高效率电源，专为超高加速度载台设计，电源效率提升后电力损耗下降，冷却机构也随之简化。这些技术共同压低了每片晶圆曝光所需的耗电量*4，环保方面同样有所兼顾。
*1. 氟化氪，曝光波长248nm。
*2. 指300mm基板、96个曝光单元条件下每小时的曝光处理片数。
*3. 范围为支持300mm基板的KrF Scanner。数据截至2026年11月9日，依据佳能调查结果测算。
*4. 对比对象为佳能KrF半导体光刻机前代机型“FPA-6300ES6a”（2012年4月发售），条件为包含选配项。
参考信息：
<佳能半导体光刻设备产品规格>
主要产品规格介绍：https://global.canon/en/product/indtech/semicon/
<Scanner扫描式光刻机是什么>
光罩载台与晶圆载台同步移动、曝光时采用“步进扫描方式”（step and scan）的光刻机，就是Scanner“扫描式光刻机”。系统因此变得复杂，但扫描动作能够覆盖曝光视场，镜头可以做得更小。由此带来的主要好处是，像差小、失真少的镜头能够被设计和生产出来。晶圆基底上的图案若出现变形，扫描动作还能边修正边曝光，套刻性能因此很高。高精度曝光正是靠这些特点实现的。
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