华邦电子：14nm DRAM 内存将有 EUV 版本，有望 2030 年导入
IT之家 11 月 9 日消息，据台媒《MoneyDJ 理财网》消息，利基型存储器制造商华邦电子 (Winbond) 总经理陈沛铭表示，计划在企业的第二代 14nm 级 DRAM 内存工艺中应用 EUV 光刻技术，若开发顺利预计 2030 年导入。 陈沛铭提到，该企业已在 EUV 上同 ASML 展开 3.5 年的合作
IT之家 11 月 9 日消息，据台媒《MoneyDJ 理财网》消息，利基型存储器制造商华邦电子 (Winbond) 总经理陈沛铭表示，计划在企业的第二代 14nm 级 DRAM 内存工艺中应用 EUV 光刻技术，若开发顺利预计 2030 年导入。
陈沛铭提到，该企业已在 EUV 上同 ASML 展开 3.5 年的合作，目前正派遣员工赴 ASML 接受培训，为后续的工艺导入进行准备。ASML 向华邦承诺首台 EUV 光刻机交付时间约 2 年，后续设备则要等待 3.5 年。
华邦电子近期通过了总额 713.63 亿新台币（IT之家注：现汇率约合 143.94 亿元人民币）的高雄 Module B 新建预算。陈沛铭称这笔资金覆盖土建、机电和部分长交货周期设备，并非新晶圆厂全部投资。该厂具体建设方案将随时间推移逐步确定。
谈及外部政治环境变化对 AI 数据中心的冲击，陈沛铭认为 2027~2028 年建设受到的影响相对有限，但 2029 年时 CSP（云服务供应商）的资金情况将决定市场是否会进入下行调整周期。
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