华邦电子14nm DRAM将用EUV，2030年有望导入
IT之家 11 月 9 日消息，据台媒《MoneyDJ 理财网》消息，利基型存储器制造商华邦电子 (Winbond) 总经理陈沛铭表示，计划在企业的第二代 14nm 级 DRAM 内存工艺中应用 EUV 光刻技术，若开发顺利预计 2030 年导入。陈沛铭提到，该企业已在 EUV 上同 ASML 展开 3.5 年的合作，
据台媒《MoneyDJ 理财网》消息，利基型存储器制造商华邦电子（Winbond）总经理陈沛铭透露，公司第二代14nm级DRAM内存工艺计划采用EUV光刻技术，若开发进展顺利，预计会在2030年导入。这一消息于11月9日传出。
围绕EUV设备，陈沛铭表示，华邦已与ASML就首台EUV光刻机的交付时间进行沟通，对方承诺约2年后交付；至于后续设备，则还需再等3.5年。
华邦电子近期通过高雄Module B新建预算，总额为713.63亿新台币（现汇率约合143.94亿元人民币）。陈沛铭说，这笔资金用于土建、机电以及部分交货周期较长的设备，并不是新晶圆厂的全部投资；该厂的具体建设方案会随时间推进逐步明确。
谈到外部政治环境变化对AI数据中心的影响，陈沛铭判断，2027~2028年的建设所受冲击相对有限，但到2029年，CSP（云服务供应商）的资金状况将决定市场会不会转入下行调整周期。
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