台积电或进军先进内存制造，英伟达点名要3D DRAM
IT之家 11 月 7 日消息，科技媒体《The Information》昨日（11 月 6 日）援引两名知情人士报道，台积电正考虑扩大业务版图，进军先进内存芯片制造，以在快速扩张的 AI 硬件供应链中获取更大份额。 报道称，台积电近期已应其最大客户英伟达的要求，开始规划生产一种名为“3D DRAM”的先进内存芯片。该
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《The Information》11 月 6 日援引两名知情人士的说法报道，台积电正在考虑把业务范围扩到先进内存芯片制造上，想在迅速膨胀的 AI 硬件供应链里多分一杯羹。
知情人士称，应最大客户英伟达的要求，台积电最近已着手规划一款名为“3D DRAM”的先进内存芯片的生产。这种架构把存储单元垂直堆叠起来以增加容量，被业界看作满足 AI 算力对高带宽、高密度内存需求的关键路线之一。
量产时间目前还没定，产能从哪来也尚无最终方案。台积电正在权衡两条路：自建专用新厂，或者买下现成的晶圆厂，再改造成内存生产线。
如果这一打算真的落地，台积电就等于从深耕多年的晶圆代工和逻辑芯片制造，跨进由三星电子、SK 海力士、美光长期把持的存储芯片市场。站在英伟达的角度，先进内存供应距离更近，AI 加速器所需高带宽内存的供给压力也能松一松。
当然，这还只是市场传闻。台积电回应称“不评论市场传闻或揣测”，并强调公司一直聚焦晶圆代工这一核心业务；英伟达方面则没有回应置评请求。
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