三星拿下38%份额：全球DRAM三季度营收近2000亿美元，同比增369%
受AI加速器、数据中心需求激增及存储芯片涨价推动，2026年第三季度全球DRAM营收同比增长369%，接近2000亿美元创历史新高。三星以38%份额领先，SK海力士环比营收增幅超40%、份额回升至29%，逐步缩小差距；机构认为价格驱动的超级周期仍将延续。
11月6日，市场研究机构Counterpoint Research发布最新报告。报告称，AI加速器需求猛增、数据中心采购放量，叠加存储芯片涨价，2026年第三季度全球DRAM市场营收同比大涨369%，逼近2000亿美元，刷新历史纪录。三星以38%的营收份额排在全球首位；SK海力士环比营收增幅超过40%，与三星的差距进一步收窄。
从份额看，三星第三季度DRAM市占率为38%，仍居第一。SK海力士从第二季度的25%回升到29%，美光以21%排在第三。中国厂商长鑫存储的份额由第二季度的10%下滑至9%。Counterpoint判断，第四季度对手会陆续出货价格更高的HBM4，长鑫存储的份额可能继续承受压力。
这轮行情靠的是涨价，出货量并没有大幅攀升。第三季度DRAM位元出货量只增长约4%，营收却已接近去年同期的5倍。DRAM平均销售价格涨到每Gb 1.9美元，成为拉动全行业营收的主要因素。
Counterpoint高级分析师Jeongku Choi表示，存储市场眼下处在价格驱动的超级周期里。AI把存储芯片从普通大宗商品变成了稀缺的高价值资源，客户竞争的焦点已从谈价格转向保供应。
产品结构上，高带宽内存（HBM）营收接近翻倍，可它在DRAM市场中的营收占比反倒下滑，原因是传统DRAM涨得更快。DDR和LPDDR营收分别同比增长500%和接近400%。
Counterpoint认为，智能体AI（Agentic AI）带动服务器CPU需求上升，传统DRAM的消耗随之增加。其数据显示，云端AI基础设施中GPU与CPU的配置比例已从4:1收窄至2:1，并可能进一步靠近1:1。以英伟达Vera Rubin机架为例，每个CPU插槽对应的DRAM容量比上一代多了近两倍，达到1.5TB。
在HBM市场，Counterpoint研究总监MS Hwang称，SK海力士此前在HBM3E市场占优，但三星HBM4产品已拿到客户的积极反馈。该机构预计，三星有望在2027年成为HBM市场第一大供应商。
后市方面，Counterpoint预计2027年存储芯片价格仍将坚挺。主要新增晶圆厂要到2028年才会投产，长期供货协议又对价格形成支撑，DRAM供应紧张的局面短期内很难明显缓解，主要存储芯片厂商下一季度有望再创盈利纪录。
