上海微电子进博会亮出光刻机：国产化率超90%，I-line与KrF双路线

如今但凡要做大规模芯片制造，光刻机都是绕不开的一环。

可国产光刻机跟国际顶尖水平之间的距离，大家心里都有数，并不算近。正因如此，外界一直盼着国产设备能顶上来，把国外厂商的垄断打破，最好连浸润式DUV、EUV都能自己造出来——那样中国芯片产业起飞就指日可待了。

11月5日，第九届中国国际进口博览会开幕，上海微电子这家国产光刻机厂商在现场正式展出了一台新的光刻机模型。有人质疑摆出来的只是个模型，其实光刻机体积太大，真机几乎不可能搬进进博会；模型的作用是展示技术，上海微电子已有成熟产品对外销售，并非PPT，这一点需要说清楚。

按照官方的说法，这台光刻机建立在全栈自主可控的技术底座上，元件国产化率突破90%，物镜系统、光源系统均自主可控，比如搭载的就是国产自主的大NA物镜。

官方还披露，该光刻机累计支持产线流片已超过千万片，设备有效运行率超过92%。

问题随之而来：这次展出的国产光刻机到底处在什么水平，跟ASML比落后多少年？这样的设备推出来，ASML会不会慌？

官方对光刻机本身还有更具体的说明：该光刻平台适配I-line、KrF两类主流技术路线，型号为光刻机SSC800、SSB800。

资料显示，I-line光刻机设备采用365nm的曝光波长，一般用于350nm左右的芯片制造；KrF光刻机一般采用248nm波长，用于130nm左右的芯片制造。

若要制造65nm及以下的芯片，就得用到ArF光刻机，其光源是193nm的波长。

再往上走是ArFi光刻机，也就是大家熟悉的浸润式，光源仍是193nm，介质换成一层水，波长通过后等效134nm，可以用于制造7nm芯片。目前浸润式EUV全球只有ASML、尼康能够制造，尼康的份额相当低，主要还是ASML的天下。

更高一档是EUV光刻机，光源波长13.5nm，用于7nm以下芯片制造，全球目前也仅有ASML一家能够制造出来。

单从技术上看，配I-line、KrF的光刻机确实落后很远，20年前ASML就已经推出了。

不过推出它的意义，并不是要去跟ASML正面PK。我们的目的，其实是在成熟工艺上进行大规模的国产替代，减少对外的进口。

全球的芯片制造并不只是先进芯片，还会有大量的成熟芯片。以前在成熟芯片这一块，我们同样大量进口光刻机，如今有了上海微电子的光刻机，就可以减少进口，也不怕被卡了。

要做的，是先在成熟芯片上实现自主可控，再慢慢基于成熟技术往先进技术上走，路得一步步来。没有成熟技术打底，直接就造出EUV，你觉得可能么？

所以，虽然是落后ASML二十年的技术，对我们同样重要。只有先解决了从0到1的问题，才能再去解决从1到10，到100的问题。