台积电否认代研3D DRAM：坚持逻辑芯片代工

11月8日消息，The Information 近日报道称，人工智能硬件需求猛增，全球 DRAM 内存供应吃紧、价格一路上扬，台积电正按英伟达的要求评估开发 3D DRAM 内存的可行性。该计划若成真，台积电等于多出一条新业务线，但也要承受内存市场周期性起伏的风险，同时它在 AI 供应链中的分量会进一步加重。

台积电否认了上述说法，并重申会继续把精力放在逻辑芯片代工上。一位发言人对 Tom's Hardware 表示：“请注意，台积电始终专注于核心业务，即专业集成电路代工。我们的使命是多年来持续成为全球逻辑集成电路产业值得信赖的技术与产能供应商。”

The Information 则援引两名知情人士的说法，称在最大客户英伟达提出要求之后，台积电已着手为 3D DRAM 制造业务做规划。

按报道所述，这项工作的监督者是台积电副总裁徐国晋。他分管先进封装业务，早前还当过美光科技台湾地区业务负责人。

眼下全球内存供应普遍短缺，这成为该计划被提出的背景。内存原本只是普通商品，如今却渐渐变成战略资源，甚至关系到企业能不能按期交货。

台积电和 DRAM 厂商合作紧密，也替客户把内存封装进系统级封装（SiP）产品，可它自身并没有 DRAM 制造所需的技术与产能，3D DRAM 就更谈不上了。

而且，即便对头部内存厂商来说，3D DRAM 离真正量产也还要好几年。所以哪怕台积电拍板推进这项业务，未来至少五年内也缓解不了当下的内存短缺。

3D DRAM 技术仍处于早期阶段

传统 DRAM 把存储单元铺在同一平面上，3D DRAM 则把多层存储单元垂直堆起来，让单片晶圆装下更多容量。

美光、三星和 SK 海力士这三大 DRAM 厂商目前各有各的 3D DRAM 项目在推。但美光的技术路线图显示，在真正做成 3D DRAM 之前，它至少还要再推出四代平面 DRAM 制程。

台积电的逻辑芯片工艺在业内领先，可 DRAM 生产走的是另一套流程。真要进军内存制造，这些技术得由它自己从头开发。

3D DRAM 更难做，构建多层存储单元要用完全不同的制造技术，还得把缺陷控制住、把良率维持在可接受的水平。

没有具备竞争力的平面 DRAM 制程打底，直接做出成熟的 3D DRAM 制造工艺几乎不可能，而台积电眼下并没有这样的技术积累。

收购内存厂商也是一种选择

假如台积电真要进 DRAM 市场，收购一家有自有晶圆厂的小型专业内存厂商是可行路径之一。

这样一来，台积电能拿到进入先进 DRAM 制造的现实入口，不必从零开发底层内存技术和知识产权（IP）。

问题是，小型内存厂商一般没有最先进的主流 DRAM 制程。收购完成后，台积电仍要砸下数十亿美元、花上数年研发，才能建起有竞争力的先进 DRAM 制程。

除此之外，踏入 DRAM 制造还会给台积电带来不小的市场风险。

内存短缺常常促使厂商扩产，可新增产能到头来可能导致供过于求，把产品价格和企业利润压下去。这种难以预判的周期性波动，会让台积电在进军 DRAM 市场前更加审慎。

同时，台积电做 DRAM 业务，还可能波及它与大型内存厂商的合作，SK 海力士尤其如此。

2024 年，SK 海力士与台积电达成合作，由台积电为下一代高带宽内存（HBM）产品制造逻辑基底芯片。台积电日后若成为 DRAM 供应商，双方的合作关系恐怕会变得更复杂。

进军内存市场或引发反垄断审查

台积电一旦进入 DRAM 制造，还可能招来反垄断方面的关注。

目前台积电在先进逻辑芯片制造领域已占主导，先进封装也处于领先。若再扩大内存生产，形成从逻辑芯片制造、先进封装到内存生产的垂直整合，监管机构或许会对此展开审查。

还有个关键疑问：一旦形成这种垂直整合，台积电会不会更愿意推自家的内存产品，或是对那些没有类似整合能力的对手形成不公平的竞争优势。

换个方向看，台积电自己动手做 DRAM，其实也可能让竞争更充分——眼下内存市场由三家厂商把持，多一个供应商并非坏事。

不造 DRAM，台积电也能分享内存市场增长红利

说到底，台积电未必非得亲自产 DRAM，才能吃到先进内存需求上涨的甜头。它完全能靠别的路径，在 DRAM 产业创造的价值里多切一块。

比如替 HBM 代工结构复杂的逻辑基底芯片；用 SoIC 混合键合技术把内存和处理器封装到一起；再比如联手创意电子（GUC）和成熟的 DRAM 厂商，一起开发定制化的内存方案。

沿着这条路走，台积电在先进内存市场的话语权还能继续做大。与此同时，从零起步研发一套有竞争力的 DRAM 制程要砸的钱、耗的力，它不必承担；再花数百亿美元新建晶圆厂的开支，也省了下来。