台积电否认筹备3D DRAM业务：称专注逻辑芯片代工

据The Information近期报道，应英伟达要求，台积电正在探索3D DRAM的生产。背后推手是人工智能硬件需求激增，全球DRAM供应吃紧、价格上扬。若此事成真，台积电将多出一块新业务，虽同样受周期性风险影响，却也可能明显抬升其在人工智能供应链中的位置。台积电的回应则是：公司是一家纯粹的逻辑芯片代工厂，并计划继续专注逻辑芯片代工业务，这实际上等于否认了该报道。

台积电发言人向Tom's Hardware表示：“请注意，台积电始终专注于我们的核心业务，即专业的集成电路代工。我们的使命是成为未来多年全球逻辑集成电路行业值得信赖的技术和产能提供商。”

不过，《The Information》援引两位知情人士的说法称，台积电已着手准备3D DRAM的生产计划，这是应其最大客户提出的要求。台积电在为客人封装系统级封装（SiP）时，确实与DRAM生产商往来密切，可它并不具备生产DRAM的专业知识和产能，更不用说3D DRAM。况且，即便对主要存储器制造商来说，3D DRAM要普及也得花上好几年。照此推算，推行3D DRAM战略至少在未来五年内解决不了存储器短缺的问题。

传统DRAM把存储单元排在一个平面上，3D DRAM不一样，它把存储单元垂直堆成多层，以此提高每片晶圆的容量。三大DRAM制造商——美光、

DRAM生产需要的是另一套完全不同的制造工艺，这和台积电公认顶尖的逻辑工艺不是一回事。台积电若想替客户生产存储器，就得把相应工艺开发出来。3D DRAM同样如此，要在控制缺陷、维持可接受良率的前提下搭起多层存储单元，需要全新的制造技术。说到底，没有具备竞争力的平面DRAM工艺，几乎不可能开发出3D DRAM制造工艺，而台积电眼下并不掌握这样的技术。

一条可能的路径是收购一家拥有自主制程能力的小型专业存储器生产商。这样台积电就能较为稳妥地切入先进DRAM制造，不必从零开发底层存储器技术和知识产权。问题是，小型厂商手里并没有领先的通用DRAM制程工艺，台积电仍需砸下数十亿美元、花上数年研发，才能开发出先进的DRAM制程技术。

进入DRAM制造还意味着巨大的市场风险。内存短缺往往会引来产能扩张，最终变成供应过剩，价格被压低，利润随之缩水。这种不确定性，无疑会让台积电在迈出这一步之前反复掂量。此外，涉足DRAM业务也可能让台积电与大型DRAM制造商的关系更复杂，尤其是与SK海力士。SK海力士已于2024年与台积电达成合作，共同生产下一代HBM产品的逻辑芯片。

台积电若真进军DRAM制造，还可能招来反垄断方面的质疑，特别是当它在尖端逻辑电路制造、先进芯片封装以及不断扩大的存储器产能等领域的统治地位叠加在一起时。监管机构可能会审查这种垂直整合是否会让台积电偏袒自家存储器产品，或让缺少这种垂直整合的竞争对手处于不利地位。反过来看，台积电自主研发DRAM，也可能在目前由三家厂商主导的市场中引入另一家供应商，从而加强竞争。

其实，台积电未必要亲自生产DRAM，才能从日益增长的先进存储器需求中分得一杯羹。它可以生产用于HBM的精密逻辑芯片，可以用其SoIC混合键合技术把存储器与处理器集成，也可以与GUC等合作伙伴和成熟的DRAM制造商共同开发定制化存储器解决方案，从而在DRAM市场拿到更大的价值份额。这样一来，台积电无需投入数十亿美元从零研发有竞争力的DRAM工艺技术，也无需耗资数百亿美元新建晶圆厂，就能在先进存储器市场拓展业务。