台积电否认3D DRAM传闻：NVIDIA曾要求探索，官方称聚焦晶圆代工

AI算力需求猛增，全球内存供应紧张、价格持续上涨，短期内看不到缓解办法。

早前有媒体称，NVIDIA要求台积电探索最先进的3D DRAM生产，想打破三巨头垄断。芯硬件最新获悉，台积电官方已正式否认，强调会始终聚焦晶圆代工主业。

据The Information报道，AI硬件需求激增造成全球DRAM供应缺口和价格上涨，NVIDIA已主动要求台积电评估3D DRAM量产的可能性。

如果这一计划落地，台积电等于多出一条业务线。内存行业强周期性会带来波动风险，但台积电在AI供应链中的话语权也会随之提升。

不过台积电官方已明确否认这则传闻。台积电发言人在接受媒体采访时说：

台积电把重心一直放在专业集成电路晶圆代工这个主业上。公司希望长期做全球逻辑集成电路行业在技术和产能上靠得住的提供方。

官方虽出面否认，两位知情人士却称，台积电已应最大客户NVIDIA的要求，启动3D DRAM制造的前期规划。该项目由台积电负责先进封装的副总裁徐国晋（Hsu Kuo-chin）牵头。徐国晋此前担任美光台湾区负责人，在内存行业履历深厚。

眼下内存已从通用大宗商品变成战略资源。供应能不能跟上，直接决定企业能否按时向客户交货。

从产业现状看，台积电要生产3D DRAM，难度极高，而且远水难解近渴。

台积电为客户提供系统级封装（SiP）服务时，确实会与DRAM厂商深度协同。但公司自身缺乏DRAM的核心技术积累和生产产能，更不用说技术难度指数级上升的3D DRAM。

即便是

技术原理上，传统平面DRAM是单层存储单元结构，3D DRAM则垂直堆叠多层存储单元，单晶圆的存储密度因此大幅提升。

三大内存厂商目前都已启动3D DRAM研发。不过美光公开的路线图显示，在正式量产3D DRAM之前，至少还要迭代四代平面DRAM制程。

台积电切入DRAM业务，可行路径之一是收购具备自有产能的小型特种内存厂商，以此跳过底层技术和知识产权从零研发的阶段。但小型厂商并不具备领先的通用DRAM制程，台积电仍需投入数十亿美元、耗费数年研发，才能追上行业前沿水平。

另外，入局DRAM还会波及台积电与主流内存厂商的合作关系。比如SK海力士2024年已和台积电达成合作，由台积电为其生产下一代HBM逻辑基底裸片。

相比远期的3D DRAM传闻，NVIDIA在HBM领域的布局已经进入实质落地阶段。

为保证定制NVHBM的性能一致性，NVIDIA一直在推动三大内存厂商统一制造标准。三星更是首次打破了延续多年的HBM全流程交钥匙模式。

过去三星开发HBM内存，一贯采用全流程自研自产的交钥匙模式。但据韩国媒体独家报道，为满足NVIDIA的技术要求，三星已决定调整生产模式，基底裸片将改用台积电3nm工艺制造。这也是三星首次在HBM制造阶段就与台积电合作，此前双方只在HBM与GPU的封装环节为适配工艺有过协同。

NVIDIA推动全行业统一工艺，核心目标是让成品性能保持一致。此前曝光的信息显示，Blackwell架构之后的下一代Feyman系列GPU将搭载这款定制NVHBM。

官方表示，该方案基于HBM4E架构打造，内存带宽比标准HBM4E高出30%，功耗同时降低15%。

要让这一性能优势稳定落地，内存厂商的生产标准就得完全一致。为此，英伟达向三星、美光、SK海力士三家供应商提出：NVHBM的逻辑基底裸片都用台积电3nm工艺制造，核心存储裸片则统一走第六代DRAM制程（1c工艺）。

工艺统一之后，NVIDIA不必再对每家厂商的样品分别做兼容性验证，能省下大量时间和资源成本，产品落地节奏也会加快。