长江存储拟建武汉第四座NAND工厂，国产设备占比瞄准70%
IT之家 11 月 6 日消息，据路透社今日援引知情人士消息，中国最大的闪存芯片制造商长江存储计划在武汉建设第四座工厂，预计将生产公司内最先进的 NAND 芯片，存储单元垂直堆叠层数将超过 300 层。知情人士称，长江存储计划将新工厂的国产设备采购比例设定为至少 60%，力争达到 70%。工厂预计将于明年动工，不过长江
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长江存储打算在武汉再建一座工厂，这将是它的第四座厂。据路透社11月6日引述知情人士的说法，新厂会生产该公司最先进的NAND芯片，存储单元垂直堆叠层数超过300层。长江存储是目前中国规模最大的闪存芯片制造商。
按照知情人士的说法，这座新厂采购国产设备的比例定在至少60%，目标冲到70%。动工时间预计在明年，但眼下长江存储只跟供应商做了初步接触，正式订单还没下。作为对照，第三座工厂预计今年晚些时候投产，其采购总量中来自中国供应商的设备已占约50%以上。
从原报道看，国产设备采购比例往上提，北方华创、中微半导体等厂商可能会从中获益。新增的国产设备预计主要落在芯片生产的常规工艺环节，比如晶圆清洗、抛光和刻蚀。目前中国企业已经承担了长江存储大部分清洗和抛光设备的供应，在制造先进NAND芯片所需的深层垂直结构设备上也取得了进展。
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