长江存储第四工厂落子武汉：NAND超300层，国产设备占比瞄准70%
IT之家 11 月 6 日消息，据路透社今日援引知情人士消息，中国最大的闪存芯片制造商长江存储计划在武汉建设第四座工厂，预计将生产公司内最先进的 NAND 芯片，存储单元垂直堆叠层数将超过 300 层。 知情人士称，长江存储计划将新工厂的国产设备采购比例设定为至少 60%，力争达到 70%。工厂预计将于明年动工，不过长
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路透社11月6日援引知情人士说法称，长江存储计划在武汉开建第四座工厂。这家国内规模最大的闪存芯片制造商打算让新厂生产自家最先进的NAND芯片，存储单元垂直堆叠层数会超过300层。
新厂的设备采购里，国产比例至少定在60%，目标是冲到70%。据知情人士透露，工厂预计明年开工，但长江存储眼下只是跟供应商做了初步接触，正式订单还没下。作为参照，第三座工厂预计今年晚些时候投产，其采购总量中来自中国供应商的设备占约50%以上。
原报道提到，国产设备占比往上提，北方华创、中微半导体等厂商可能从中受益。新增的国产设备大概会落在芯片生产的常规工艺环节，比如晶圆清洗、抛光和刻蚀。目前中国企业已经包下长江存储大部分清洗和抛光设备，在先进NAND芯片所需的深层垂直结构设备上也取得了进展。
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