存储芯片涨价现分化:DRAM创十年新高,NAND涨势不均
21世纪经济报道记者 骆轶琪 存储芯片市场的涨价行情仍在延续,但不同产品之间的供需关系正在出现新的变化。 最新市场数据显示,10月通用型DRAM价格继续上涨,部分产品价格已创下近十年新高;与此同时,NAND闪存市场则呈现出另一番景象:部分成熟制程产品价格继续攀升,部分消费级闪存产品的涨价动力却有所减弱,渠道市场甚...
21世纪经济报道记者 骆轶琪
存储芯片的涨价还在继续,不过各类产品之间的供需格局正悄然生变。
最新市场数据表明,10月通用型DRAM价格延续涨势,已有部分产品站上近十年来的最高点。NAND闪存那边则是另一番光景:一些成熟制程产品价格还在往上走,另一些消费级闪存产品的涨价势头已经弱了下来,渠道市场甚至出现了价格松动。
这些变化发生在一个大背景之下——全球存储巨头业绩接连刷新纪录,又纷纷宣布加码产能投资。人工智能基础设施建设不断吸纳存储产能,数据中心和消费电子争抢资源的局面越来越明显。可价格一路涨上去,也开始压住了下游的需求。
不过,这未必说明供需关系已经掉头,更像是终端需求侧的变化在推动存储芯片市场进一步走向分化。
这轮涨价里,DRAM的供需紧张程度最突出,行情也是迄今最强的品类。
集邦咨询旗下DRAMeXchange的统计显示,10月通用型DRAM产品DDR4 8Gb(1Gx8)平均合约价格来到27.5美元,比9月的26美元涨了5.77%。2016年6月刚开始追踪统计时这个数字是2.9美元,累计涨幅约9.5倍。
该机构还预测,2026年第四季度PC DRAM合约价格将环比上涨13%至18%。也就是说,PC终端需求就算不强劲,DRAM价格照样可能接着涨。
价格之所以一路走高,根子在于存储厂商的产能配置正在发生结构性调整。
近几年,人工智能训练和推理拉动了HBM、高容量服务器DRAM等产品的需求快速膨胀。数据中心市场对高性能存储产品的胃口比传统PC、手机存储大得多,给存储原厂带来的盈利空间也更高。
于是,三星、SK海力士、美光等厂商不断把投资和产能资源往高附加值产品上挪。传统消费级DRAM哪怕需求没怎么增长,供给被压缩之后价格也可能被推上去。
存储巨头的经营表现也印证了这一点。
Counterpoint Research研究总监MS Hwang向21世纪经济报道记者分析,眼下存储芯片供应短缺,其实是行业在2023年至2025年下行周期里投资减少造成的结果。如今存储厂商开始盈利,投资也跟着增加了。
他还表示,未来的投资得靠眼下的盈利能力来支撑。以往供应商和政府能借助信贷和债务为投资筹措资金,可现在这样的做法已经行不通了。
当然,面对眼下明显的供需紧张,存储芯片巨头们今年已经陆续宣布扩产。只是短期内,供需关系恐怕很难看到明显扭转。
MS Hwang对记者分析,投资到产能投产至少要两年时间,这些新增投资预计从2027年下半年起才会逐步变成实际的产能增长。
而在备受关注的消费电子领域,就算这些大厂的新产能慢慢落地,也未必能吸收掉这些供给。
MS Hwang对21世纪经济报道记者指出:“我们预计,未来至少几年内,新增投资仍将主要集中在数据中心领域。若要使产能分配重新向手机存储倾斜,智能手机行业必须实现复苏。”问题是,手机市场眼下还没找到AI领域新的“杀手级应用场景”,同时还要面对存储成本上涨、用户换机周期拉长等难题。
从存储芯片巨头此前的表态也能看出它们的策略:不再一味追求整体出货规模,而是优先保障高附加值、高利润率的AI存储产品。产能结构这么一调,传统DRAM市场就受到了间接挤压。
这么看下来,消费电子存储供应紧张能不能缓解,既取决于存储原厂何时扩产,也取决于手机等终端市场能不能重新证明自己的增长潜力。
和DRAM比起来,NAND闪存市场的价格走势要复杂得多。
集邦咨询统计显示,10月通用型MLC NAND产品128Gb(16Gx8)平均价格30.61美元,环比持平。SLC NAND价格则还在涨,10月部分产品环比涨幅为5%至10%,其中4Gb及以上容量产品涨幅约9.0%至9.9%。
产品之间的价格差异,说明NAND内部的需求结构正在变化。
汽车电子、工业控制、低轨卫星等应用对部分SLC产品形成了支撑,加上成熟产品的供应资源相对有限,相关价格仍有上涨动力。
不过,消费级SSD以及部分TLC、QLC闪存资源,在渠道市场上的价格已经出现松动。
闪存市场第三方机构的调研数据显示,11月伊始,存储现货的整体需求延续了上月的低迷态势,实际成交乏力。渠道消费类SSD和嵌入式eMMC价格继续小幅调降,行业SSD、内存条以及LPDDR4X/5X的价格则普遍持平。
该机构表示,近期嵌入式市场成交多集中在小单,实际成交价仍在往下走,本周eMMC价格继续下调,LPDDR4X/5X和UFS产品价格则保持不变。
需要留意的是,晶圆贸易价格、原厂合约价格和终端SSD价格并不在一个统计口径里。渠道价格回落,反映的更多是流通环节库存和采购情绪的变化,还不足以说明NAND整体的供需关系已经反转。
针对DRAM与NAND之间的价格差异,MS Hwang向记者分析,根源在于两者的需求价格弹性不同。
具体来说,DRAM会直接影响应用侧的体验,供应不足就会拖累系统性能;NAND则不同,即便供应紧张,用户仍能借助云端存储或其他替代方案完成数据存储。
“另外,DRAM行业中快速增长的HBM等产品,占用的晶圆产能是传统通用型产品的三倍以上。NAND领域的HBF等产品业内虽然也在讨论,但离商业化还很远。”他进一步向记者分析道。与此同时,NAND市场内部也在围绕移动端和服务器应用做产品差异化布局。原因在于,AI数据存储正转向成本更低的NAND产品,以抵消DRAM成本上涨带来的压力。
但MS Hwang并不认为NAND的涨价动力已经减弱,这同样是供需关系决定的。他指出,DRAM行业的投资在大幅增长,NAND领域的投资却仍然有限。换句话说,NAND涨价,主要是因为存储芯片巨头并没有积极扩充产能。
也就是说,NAND市场眼下出现的价格松动,更可能发生在不同产品、不同交易环节之间,属于结构性分化,而非整个行业涨价周期的终结。
尤其是AI数据中心对企业级SSD的需求还在持续增长,消费级NAND与企业级产品的价格走势,可能继续分道扬镳。
对下游消费电子产业来说,存储价格短期是涨是跌,其实还不是最关键的问题。这轮高成本周期到底会持续多久,才是更重要的。
目前,已有部分存储原厂对外判断供应紧张可能长期持续,甚至有观点认为,相关供需矛盾会延续到2030年。
但MS Hwang对记者指出,2028年全球存储市场规模可能略有收缩。原因有两个:新增供应逐步释放,以及持续高企的价格已经开始抑制存储产品的使用量。
按这一判断,存储行业未来可能同时面对供给和需求两端的变化。
供给端,2027年下半年开始释放的新增产能,有望让部分产品的供应紧张逐步缓解;需求端,存储价格持续上涨,则可能逼着终端厂商降低配置、调整产品组合,甚至削减采购需求。
他告诉记者,2005年iPod nano发布时的经历应该被记住:那会儿存储供应商自己给出大幅价格折扣,NAND市场最终因此一起做大了。
这个案例说明,存储产业和终端市场之间并非只是单纯的价格博弈。借助技术创新、规模增长和产业链协同,双方仍有机会创造出新的需求空间。
从当前市场变化看,存储芯片行业正在经历的,不只是一轮传统的价格上涨周期,更是人工智能推动下的一次供需结构重塑。未来存储行业的拐点,或许不只取决于新增产能何时释放,更取决于高价格能否持续获得下游需求的支撑。