传台积电造3D DRAM，业界：先把张忠谋自传读一百遍

11月6日科技媒体援引两名知情人士报道，全球最大晶圆代工厂台积电正考虑进军先进存储芯片制造，以在快速扩张的AI硬件供应链中获取更大份额。报道称，台积电近期已应其最大客户英伟达的要求，着手规划生产一种名为3D DRAM的先进存储芯片，目前尚不清楚预计何时投产，可能的选项包括新建专用工厂，或收购现有工厂改造为存储生产设施。消息传出后，围绕“代工之王是否要跨界存储”的讨论迅速升温：一派观点认为这是英伟达破解存储瓶颈的现实选项，另一派则援引张忠谋时代的商业铁律，直呼“完全是误会”。台积电在一份声明中表示：“我们不对市场传闻或猜测置评。”传闻背后，真正浮出水面的，是AI算力竞赛中存储环节日益尖锐的供需矛盾，以及下一代存储技术路线的竞争序幕。

传闻始末：英伟达要产能，台积电“不评论”

据知情人士披露，该项目由台积电负责先进封装业务的副总经理徐国钦牵头，其团队具备芯片三维堆叠经验，涉及CoWoS等先进封装技术。履历显示，徐国钦曾执掌美光中国台湾业务，兼具存储制造与芯片整合经验，这一背景让外界对传闻多了几分想象空间。收购改造路径已有先例：今年3月，美光以18亿美元收购力积电一座工厂，计划改造用于先进存储芯片生产。

值得注意的是，台积电并非首次涉足存储领域。其曾在20世纪90年代至2000年代末生产常规存储芯片，2008年二季度之前，公司财报还单独披露存储业务收入。也正因这段历史，老一代产业人士对存储周期的教训尤为深刻。

不过，该消息仍属市场传闻。台积电回应称：“我们不对市场传闻与猜测置评。台积电始终聚焦核心业务，专注集成电路代工。我们的目标是长期作为全球逻辑芯片行业值得信赖的技术与产能供应商。”英伟达则未回应置评请求。

存储为何成了AI的最短板

英伟达为何急切地推动代工厂研究存储芯片？答案写在行业的供需数据里。刘佩真分析指出，随着AI芯片算力飙升，高带宽与高密度的存储已成为硬件效能与供给的最主要瓶颈，加上韩系三大厂商供给紧绷且报价高昂，驱使英伟达极力寻找非韩系的多样化产能保障。

行业数据印证了紧张程度：在高端AI训练集群中，HBM的成本已占整机物料清单（BOM）的20%至25%，HBM3E 12-Hi单颗价格超过1500美元，下一代HBM4单颗价格可能突破2500美元；而HBM产能爬坡必须等晶圆厂建成、设备搬入、TSV良率达标，SK海力士最快的扩产节点要到2027年2月。

市场层面的变化更为剧烈。据Counterpoint Research最新发布的2026年第三季度全球存储市场追踪报告，DRAM市场营收同比增长369%，单季市场营收已接近2000亿美元，约为去年同期的5倍；但本季度DRAM位元出货量仅增长约4%——这是一个由价格而非出货量驱动的超级周期，DRAM平均销售价格达每Gb1.9美元。更早的数据同样惊人：2026年开年，DRAM与NAND闪存价格双双创下近十年新高，部分型号累计涨幅超过300%；2026年二季度，传统DRAM合约价环比上涨58%至63%。涨价的影响已开始向消费电子传导，苹果今年早些时候曾以存储成本上涨为由提高部分产品售价。

供应端的结构性紧缺短期难解。研究机构指出，主要新增存储晶圆厂在2028年前不会投产，供应将持续偏紧；SK海力士DRAM收入从2021年第二季度的7.5万亿韩元跃升至2025年同期的17.1万亿韩元并首次超过三星，HBM在其DRAM收入中的占比也从2022年底的约5%提升至2025年第一季度的40%以上——存储行业的竞争逻辑，正从规模化的商品化模式，转向与客户深度协作的定制化模式。

在这种格局下，英伟达的动作早有铺垫。2026年8月，英伟达发布定制HBM技术NVHBM，并已向三星、SK海力士、美光三家HBM供应商提出统一要求：NVHBM的基底裸片一律采用台积电3nm工艺，承载存储功能的核心裸片则统一使用第六代DRAM工艺；三星首次在HBM制造阶段与台积电展开合作，被视为存储巨头“交钥匙”模式的松动。有存储行业分析师评论：英伟达要的不是三家供应商，而是一个供应商的三条产线。在此逻辑上再进一步，让台积电直接参与下一代存储制造，对英伟达而言并非天方夜谭。

是“跨足”还是“误会”：业务边界的两种解读

传闻的技术与商业解读，业内出现了鲜明分歧。

刘佩真认为，从产业逻辑与商业动机看，台积电应英伟达要求规划3D DRAM制造并非完全不可能。技术上台积电早已具备3D DRAM相关的垂直结构与先进封装专利，能够天然延伸至先进存储堆叠领域。但她的判断同样明确：存储制造的资本支出极高，利润率与逻辑芯片代工存在天壤之别，且直接切入可能破坏与SK海力士等封装生态圈伙伴的合作默契；台积电短期内应会以共同开发或专用技术验证为主，不至于贸然转型为标准型存储的大规模量产厂。

中国台湾业界的另一派观点则更为直接，甚至以“应该罚乱传消息的人把张忠谋自传读一百次”来回应传闻。其论据有三：其一，台积电3DFabric联盟伙伴已包含美光、三星存储、SK海力士以及一线载板厂，产业分工明确，台积电近年替客户操刀HBM的Base Die（基底裸片），以及与SK海力士、美光合作的“逻辑代工+先进封装（CoWoS/TSV）”，均不代表跨入存储芯片；即便未来真的走向逻辑芯片直接3D键合堆叠DRAM单元，储存阵列也是存储芯片厂的专业，台积电负责的依然是底部的Controller/Logic或最擅长的3DFabric/SoIC混合键合封装。其二，张忠谋自传已明确记载存储教训：德碁深陷DRAM崩盘巨额亏损，台积电换股并购德碁后做的第一件事，不是继续经营DRAM，而是以最快速度把德碁的8英寸厂改造成逻辑代工线——深知标准型DRAM缺乏定价权，受制于“资本支出与报价暴跌”的恶性循环，DRAM“赚一年、赔三年”。其三，台积电先进工艺的长期毛利率目标在53%以上，2026年二季度毛利率指引更达65.5%至67.5%；DRAM具备强烈的景气循环特性，即便高阶客制化存储也是高资本、高折旧、毛利起伏巨大的业务，若把产能与资本开支拿去铺DRAM单元产线，只会大幅稀释股东权益回报率与盈利率。

两种解读看似对立，实则指向同一事实：台积电在存储供应链中的角色正在加深，但角色形态存在本质分野——是做存储单元的制造者，还是做存储与逻辑融合的封装整合者。从台积电自身的业务演进看，后者与其说跨界，不如说正是其先进封装版图的延伸；而前者，则意味着与三大存储原厂正面竞争，打破其“不与客户竞争”的立身之本。

下一代存储竞赛：3D DRAM路线图与周期警示

抛开传闻真伪，3D DRAM本身已成为存储巨头竞逐的确定性方向。3D DRAM把存储单元垂直堆叠，在单颗芯片内塞入更多存储单元，从而实现更高的存储密度；这与把多颗DRAM芯片堆叠封装的HBM不同——3D DRAM改变的是存储单元本身的排列结构，而不只是把现有芯片叠起来。

三大原厂的路线图已经铺开。SK海力士公布下一代存储路线图，正研发“3D堆叠DRAM”方案——在GPU或NPU等处理器正上方垂直堆叠DRAM，可将I/O通道数量较现有HBM提升数十倍；同时推出基于NAND的HBF（高带宽闪存），在带宽约为同代HBM一半的前提下将容量提升约10倍，其社长安炫预计到2030年AI基础设施规模将较2026年增长约20倍。三星电子计划将4F²技术应用于3D DRAM；美光则在10月的技术研讨会上正式宣布：对4F²的研究已超过20年，但“不存在具备可量产性的微缩路径”，果断放弃该路线，转而将晶圆键合与3D DRAM放在路线图核心位置，在1ζ与1η节点之间正式规划两代3D DRAM，并同步发布将内存直接堆叠在处理器上方的Vertical HBM。头部厂商已成功将3D DRAM堆叠至16层，三星与SK海力士亦在将3D DRAM技术与先进混合键合技术相结合。今年10月的韩国半导体展上，三星与SK海力士同日展示次世代内存堆叠技术，思路高度一致：把半导体垂直堆起来，缩短运算装置与内存之间的数据移动距离。

市场空间为这场竞赛提供了充足的理由。据Yole统计，2024年全球HBM市场约170亿美元，2030年将达980亿美元、年复合增速约33%，HBM收益占DRAM比重将由18%升至50%；全球HBM晶圆需求将由2024年的2.9万片/月增至2028年的44.2万片/月、复合增速超90%。TrendForce预测，2025年全球HBM市场规模从2024年的180亿美元飙升至350亿美元，增长94%，2026年将达550亿美元。

但繁荣之下，周期律的警示从未远去。历史上，存储紧缺往往引发厂商扎堆扩产，但等到新增产能落地时，需求常常已经回落，进而压低价格、侵蚀厂商利润率；这种暴涨暴跌的循环，可能让台积电在推进存储项目时更加审慎，尤其如果后续几个季度供给增加、需求走弱。华邦电董事长焦佑钧亦警示，并不希望存储价格继续大涨，存储产业不能只追求短期获利最大化；若景气延长，厂商容易持续建厂，等到市况反转才发现供给过剩，将使下行循环更为剧烈，他预计2029年或成AI数据中心景气下行的关键节点。针对台积电的传闻，焦佑钧的回应颇为审慎：跨足DRAM须解决技术及专利问题，更要衡量与既有伙伴的关系。

综合各方信息，这则传闻最合理的注脚或许是：英伟达确实在为存储瓶颈寻找一切可能的出口，台积电也确实在评估技术边界内的各种选项，但“新建存储厂、大规模量产3D DRAM”距离现实仍有相当距离——在共同开发、专用技术验证与Base Die代工这些已经落地的合作形态之外，真正跨过存储制造的边界，需要的不是一纸传闻，而是一场对周期、毛利率与产业默契的重新定价。对整个行业而言，值得关注的不是台积电会不会成为第四家DRAM原厂，而是当存储单元与逻辑芯片在3D堆叠中越贴越近，“存储厂”与“代工厂”的职业边界本身，正被AI时代重新书写。