台积电被曝评估3D DRAM生产计划：或新建厂或收购改造，徐国晋牵头

财联社11月7日消息（编辑 牛占林），AI算力需求仍在猛涨，存储芯片供应吃紧，正在拖住人工智能基础设施扩张的脚步。全球最大的芯片代工厂台积电，也开始打起了往存储制造领域延伸的主意。

据媒体周五报道，台积电最近着手制定先进存储芯片的生产计划，考虑制造一种叫3D DRAM的新型存储芯片。据说这一计划是应其最大客户提出的。

知情人士透露，台积电眼下在评估两条路：一是新建工厂，二是收购现有半导体工厂再改造成存储芯片生产设施。量产时间目前还没定下来。该项目由台积电负责先进封装业务的副总裁徐国晋牵头。

过去很长时间里，台积电的主业是给英伟达、苹果等客户代工逻辑芯片，并借助CoWoS等先进封装技术，把GPU等AI芯片与高带宽存储器(HBM)装进同一封装，用来提升数据传输效率。存储芯片制造则主要交给别家。

台积电这次考虑布局的3D DRAM，靠垂直堆叠存储单元来提升存储密度，被看作下一代DRAM技术的可能方向。

计划一旦落地，台积电的业务就会从芯片代工和先进封装再往前迈一步，伸到存储制造，直接扎进AI硬件供应链里越来越关键的存储环节。

AI需求激增加剧存储供应紧张

台积电之所以考虑跨界，根子在于AI产业扩张造成的存储芯片供需失衡。英伟达等厂商接连推出更强的AI加速器，数据中心对HBM和服务器DRAM的需求涨得很快。HBM生产又要吃掉大量先进DRAM产能，存储厂商于是纷纷把资源往高附加值产品上挪，供应紧张因此更严重。

存储价格在涨、供应又受限，英伟达这类大型芯片买家正四处找额外的供应渠道。台积电若真的进入先进存储制造，供应来源有望多出一个，对现有存储厂商的依赖也能减轻。

存储制造商同样在加快扩产。美光今年3月宣布，以18亿美元收购台湾力积电的一座工厂，打算改造成DRAM生产设施，预计2027年下半年开始形成有意义的晶圆产出。

不过，台积电要进存储市场，挑战并不少。三星电子、SK海力士和美光在DRAM领域生产体系成熟、规模优势明显，台积电一旦决定入局，就要直接面对这些长期把持市场主导地位的对手。

另外，存储芯片行业周期性很强，价格一涨往往就刺激厂商扩产，接着可能供过于求。AI需求增长能不能持续，大规模资本投入又会带来哪些风险，台积电都得掂量。