台积电被曝为英伟达规划3D DRAM：官方否认，业内看法不一

AI算力竞赛越烧越旺，存储瓶颈成了卡住大模型训练和推理集群扩容的关键一环。就在这样的背景下，近日传出的一个消息引来业界广泛关注。科技媒体《The Information》援引两名知情人士的说法报道，台积电正考虑把业务版图再扩一块，进军先进内存芯片制造，好在快速膨胀的AI硬件供应链里多分一杯羹。

报道称，台积电近期已经应最大客户英伟达的要求，着手规划生产一种叫“3D DRAM”的先进内存芯片。眼下主流的HBM靠TSV堆叠多颗DRAM裸片，3D DRAM则不同，它在晶圆上垂直堆叠存储单元，从底层架构上让密度和带宽同步提升，产业界普遍把它看作解决AI算力对高带宽、高密度内存渴求的下一代核心路线。一旦落地，当前HBM主导AI存储堆栈的格局将被改写。

消息还透露，台积电量产时间尚未确定，产能来源也还没有最终拍板。该媒体称，台积电正在评估两条路：一是新建专用工厂，二是收购现有晶圆厂、改造成内存生产设施。不过哪条路都意味着巨额资本投入和漫长的工艺调试周期，也意味着台积电要走出深耕多年的逻辑代工舒适区。

消息流出仅一天，台积电就迅速出面否认，并强调公司会继续专注逻辑芯片代工业务。台积电一名发言人向Tom's Hardware表示：“请注意，台积电始终专注于核心业务，即专业集成电路代工。我们的使命是多年来持续成为全球逻辑集成电路产业值得信赖的技术与产能供应商。”

台积电虽已否认，但The Information引述两名知情人士的说法称，这项3D DRAM制造业务是按最大客户的要求推进的。报道称，相关工作由台积电副总裁徐国晋负责监督。他主管先进封装业务，早前曾任美光科技台湾地区业务负责人。

传闻一出，业界的反应并不一致。中国台湾经济研究院总监刘佩真分析，HBM成本已占高端AI训练集群BOM的20%–25%，加上韩系厂商供给紧绷、报价高昂，英伟达确实有强烈动机去寻找非韩系的产能保障。从产业逻辑看，台积电应要求规划3D DRAM“并非完全不可能”。

香港聚芯资本管理合伙人陈慧明认为，英伟达真正希望台积电“更积极”去做的，或许是在3D封装层面把逻辑与存储的整合及频宽做到最大，而不是纯粹制造DRAM单元。台积电自己的路线图也指向2029年的“DRAM-on-logic”，目标是在低于1 pJ/bit能耗下实现约3倍于HBM5E的带宽，其潜在优势在堆叠与键合，不在存储单元本身。

韩国《首尔经济日报》则分析，如果台积电真把GPU制造、存储生产和先进封装整合到一起，将形成“一条龙”供应链，极大强化其在AI芯片供应链中的主导地位，对SK海力士构成实质竞争压力。长期以来，三星、SK海力士是HBM裸片的核心供应商，台积电是封装集成方，双方是紧密协作的伙伴；一旦台积电下场自研自产存储，伙伴关系会立刻转向竞争。

内存大厂华邦电董事长焦佑钧的看法则是，台积电去做3D DRAM并不太现实。台媒报道称，焦佑钧受访时直言，“他个人评估台积电现阶段投入3D DRAM的可能性并不高。”

他提到，从企业文化看，台积电追求卓越，不会做半吊子的事。真要进入新领域，台积电一向是默默准备、默默研发，等技术成熟、人才到位、水平足够高之后才对外公布。何况DRAM制造技术没法凭空出现，得靠长时间积累。所以，技术还没准备好消息就传出来，与台积电一贯的做事风格并不相符。

焦佑钧还说，产业合作关系才是最关键的一环。眼下台积电与三星（Samsung）、SK海力士（SK Hynix）、美光（Micron）这三大内存原厂都保持着相当紧密的合作。台积电若自己跨入DRAM领域，等于与这些重要伙伴直接竞争，产业合作会变得更复杂，这桩传闻的不实之处也就更多了。

焦佑钧最后特别说明，以上看法只是他个人对产业的观察和推测，他并未掌握任何内部或内线消息，也没有向台积电内部打听过。整体来看，市场对先进内存的需求虽持续存在，但在技术发展和现有生态合作的条件下，台积电自行涉足3D DRAM制造的可能性似乎不高，目前仍只是市场传言。

作为另一方，英伟达至今未就传闻作出回应。就现有信息看，这是英伟达推动、尚处可行性评估阶段的远期供应链备选方案，并非已经敲定的量产计划；对台积电来说，更优的选择或许是与存储厂商合作做定制化逻辑-存储共集成，而不是直接与三星、SK海力士、美光正面竞争。