SK海力士HBM4良率突破70%：三星、美光下一代内存竞争升温
IT之家 11 月 12 日消息，据 Chosun Biz 今日报道，SK 海力士的 HBM4 内存良率已超过 70%，与三星和美光的竞争将更加激烈。 报道称，SK 海力士第六代高带宽内存（HBM4）的产能良率提升至 70% 以上。由于 HBM4 比以往产品更难制造，确保早期产量被视为决定大规模生产竞争力的关键变量。不
据 Chosun Biz 11月12日报道，SK 海力士的 HBM4 内存良率已超过 70%，这意味着它与三星、美光的竞争会变得更激烈。报道称，SK 海力士第六代高带宽内存（HBM4）的产能良率已经提升到 70% 以上。HBM4 比以往产品更难制造，能不能尽早把产量提上来，被看作决定大规模生产竞争力的关键变量。不过，SK 海力士官方还没有正式公布良率数据。
HBM4 属于下一代高带宽内存，做法是把多颗 DRAM 芯片垂直堆叠起来，以此提高数据处理速度和带宽。和标准 DRAM 不一样，HBM 要经过单个芯片制造、堆叠、封装和最终测试等多道步骤。生产良率越低，占用的生产资源就越多，制造成本也跟着上去。
报道提到，行业观察人士看重超 70% 这个数字：在相同计算基础下，良率从 60% 提高到 70%，同样的生产投入能换来的商品单位数量大约增加 16.7%。不过实际生产中，产品性能、制造成本和客户需求之间必须做权衡。
在 10月28日的第三季度财报电话会议上，SK 海力士称，HBM4 在前端和后端流程的良率都处于业内最佳之列。该公司还表示，HBM4 良率超出了最初的计划，公司因此上调了内部目标。
三星电子和美光同样在加大 HBM4 的推广力度。今年 9 月曾有市场观点称，三星电子的 HBM4 良率已提升至约 80%。SK 海力士在 HBM3E 市场占据优势，要保住下一代产品的竞争力，光有性能不够，生产良率和产能也得跟上。
报道称，行业普遍认为，HBM4 初期批量生产的良率以及稳定供应能力，将成为塑造未来市场份额的关键因素。
