长鑫科技IC China首秀：RDIMM、LPDDR6、LPDDR5X三线并进AI存储

11月12日，第二十三届中国国际半导体博览会（IC China 2026）在北京拉开帷幕。长鑫科技把面向AI时代的三条产品线摆上了展台，覆盖数据中心、端侧AI和智能汽车，具体型号包括RDIMM、LPDDR6以及车规级LPDDR5X等内存产品。

同一天，长鑫科技副总裁骆晓东在IC China 2026论坛上表述了一个判断：存储产业的竞争逻辑已彻底改变，过去比的是单一参数，现在拼的是全场景产品布局能力。谁能吃透应用系统，做出适配不同层级、不同场景的差异化存储方案，谁就握住了重塑市场格局的关键变量，行业玩家也由此获得换道超车的机会。

图/长鑫科技副总裁骆晓东

从参数比拼到“分层时代”，AI推理价值重构

骆晓东在《算力分层时代，探索DRAM产品新边界》主旨演讲中说：“受全球算力需求激增影响，各市场的增长逻辑已明显分化。”他进一步解释，服务器端优先承接AI大模型、智算中心等高价值需求，高端存储和高性能芯片的需求因此持续走高；汽车市场则由智能化拉动，预计到2030年，车载存储和车规芯片需求的年复合增速约30%；手机、PC等消费电子市场AI功能渗透在加快，但消费周期的波动特性依旧明显。

落到应用分层，AI大模型在不同阶段对内存的诉求并不一样。Decode推理逐字生成回答，卡点在内存带宽；Prefill一次性读入并理解输入，瓶颈转到算力；大参数多卡训练则受内存容量和互联能力制约。没有任何一款内存产品能在所有方向上同时做到最优，供给端走向产品分化是必然结果。

在长鑫的产品矩阵里，服务器RDIMM被骆晓东称作“算力数据传输的第一通道”。更准确地说，AI推理正在重构服务器内存的价值，RDIMM的角色从系统主内存的“配套件”，升级为大模型长上下文的“核心缓冲区”。

过去对话式AI一轮结束，KV Cache即可清理或转存；Agentic AI不同，它是高频长程自回归——用户给出任务后，Agent自主展开思考链、调用搜索、编写并运行代码、报错后自我纠错、继续调用工具，单个任务可能涉及数十轮乃至上百轮循环。Gartner 2026年3月的研究显示，Agentic工作流每个任务消耗的Token是标准聊天机器人的5至30倍，一次用户请求可能触发10至20次顺序模型调用。内存占用随任务运行持续增长，不再是“用完即释放”。

服务器配置逻辑因此被改写。以往以训练为主，GPU算力高度饱和，CPU与GPU配比常为1:4甚至1:8；到了Agentic AI推理与端到端业务流中，复杂调度需要更高CPU配比，业界正走向1:2甚至1:1。RDIMM直连CPU，作为系统主内存，其单机插槽数量与大容量条装配率也随之倍增。

长上下文推理让这一趋势更加明显。单人短对话的KV Cache只有几十兆；上下文拉长到128K甚至1M Token，或千万人并发时，一个活跃请求的KV Cache可达几GB到十几GB，几十个并发长会话就能撑爆整台服务器的GPU HBM。工业界的做法是分级卸载：HBM只保留当前生成Token的极少数活跃上下文；用户长时间未访问的数据（冷KV Cache）被“卸载”到数百GB乃至更大量的RDIMM主内存中，会话重新激活时可快速拉回；轮到该用户时，CPU下发指令，上下文数据由RDIMM搬运到HBM中参与运算。RDIMM由此成为大模型长上下文的“核心缓冲区”。

长鑫RDIMM产品线眼下同步推进：DDR5颗粒完成24Gb到32Gb迭代；RDIMM模组实现32GB到128GB主流容量、5600Mbps到8000Mbps速率档位全覆盖；MRDIMM覆盖128GB和192GB，速率最高12800Mbps，切中服务器和数据中心对大容量、高速率的需求。

全球主流服务器内存正处在稳定升容周期，低容量占比收窄，中高容量渗透率提升，RDIMM市场价值重心持续向高容量段转移。这背后的推手，正是AI推理把内存从“容量配置项”推成了“性能关键项”。

图/长鑫展台

端侧/车规试能力凸显，场景适配见功夫

端侧AI是长鑫此次展出的另一条主线。今年8月，长鑫正式发布LPDDR6，这是业内最新一代LPDDR产品，已在国内旗舰手机小米18 Fold上实现全球首发量产。

该产品容量为16Gb，最高速率达12800Mbps，相比上一代LPDDR5X带宽提升60%，功耗降低20%。骆晓东表示，长鑫LPDDR6凭借原生速率更高和双子架构设计，显著提升了“带宽容量比”这一关键指标，这一特性使其未来能够拓展至智能驾驶、边缘计算以及对存储能效要求较高的服务器场景。

LPDDR5X产品线上，长鑫2026年基于第五代技术平台（G5）推出两款新LPDDR5X产品，单颗容量均为24Gb，较上一代同类型产品提升50%，分别采用496Ball、245Ball封装规格，可适配中高端智能手机、便携式消费电子等不同场景需求，目前均已进入规模量产阶段。长鑫LPDDR5X已落地全球首款AI智能体手机努比亚NaviX Ultra，赋能“听得懂、能干活、记得住、够安全”的端侧AI交互体验。

技术门槛是车规场景更受关注的地方。车规级内存的壁垒在业内是出了名的高，和消费级方案相比有本质区别。长鑫这次拿出的车规级LPDDR5X把高速传输和大容量放在了一起：靠带宽保证感知数据能及时缓存、及时调用，给处理器的感知融合和算法计算垫上数据底座；靠足够的运行空间装下座舱程序、界面和工作数据。

车载平台讲究集成设计，长鑫为此准备了两款封装方案。其中一款是315焊球封装，I/O布局经过优化后寄生参数更低，信号传得更稳、干扰更少，封装尺寸也压得更小，信号完整性和电源效率两头都照顾到；另一款是441焊球封装，配了4个独立通道，总数据位宽64bit，多通道并行架构能撑起高速并行传输，扛得住更大的数据交互吞吐量，满足车载域控的高带宽需求。两款方案一个在连接布局、一个在接口配置上互相补位，客户可以按平台特点灵活挑选。

可靠性上，长鑫车规级LPDDR5X内存产品已拿到AEC-Q100 Grade 2等权威认证，并通过ISO 26262 ASIL D产品功能安全认证，相关管理体系覆盖ISO 9001、IATF 16949及QC 080000。车载内存产品眼下已从LPDDR4X稳步走到LPDDR5X，LPDDR6在车载场景的应用创新与拓展也在加快。

端侧和车规并不是把现有产品简单往外延伸，更像是分层能力的一块“试金石”。竞争的重心已经从“有没有产品”变成“能不能按场景适配”，功耗、封装、可靠性、平台分化，每一项都在考验厂商对真实应用的理解深度。

架构破局凭技术底牌，研发加码接场景需求

弄清了“市场需要什么”，长鑫接下来怎么作答？答案落在技术侧。

长鑫科技总裁曹堪宇今年10月在一次公开活动中曾提到，长鑫自成立以来即启动4F²研究和专利布局，公开专利族超300件，数量领先海内外厂商，并于2021年发布中国大陆首篇4F²架构相关论文。

4F²架构最核心的特色，是长鑫自研的VSG（Vertical Surrounding Gate）垂直环绕栅极晶体管。这种结构用垂直包围沟道，栅控更强，DRAM存储单元漏电与短沟道效应的痛点由此得到解决；晶体管竖立起来也有助于面积微缩，相对主流6F²架构，同面积存储密度可提升30%—50%。配套的混合键合技术从2019年起独立自主研发，公开专利数量进入全球前十；2025年在IEDM发表论文，首次在12英寸晶圆平台完成DRAM与CMOS晶圆级键合实验验证。

技术路线图的推进也在同步进行。长鑫在第三季度业绩交流会上透露，4F²垂直沟道DRAM架构已取得关键突破，在此基础上，第六代工艺技术平台G6完成工程样片验证——G5平台量产之际，下一代平台的工程验证也已落位。4F²架构的首代产品定为DDR5 RDIMM，长鑫计划2026年年底推出融合上述先进技术的新一代DDR5 RDIMM。服务器级RDIMM得撑住7×24小时不间断运行，扛住带电热插拔的电压冲击，还要跟不同厂商、不同代际的CPU和主板过完数百项严苛兼容性测试，并保证高速传输时信号在较长的模组走线上不衰减、不误码。新架构还会牵动设计、工艺、设备、材料等多个环节协同创新，带动国产存储产业链变革。

高增长离不开高研发投入支撑。2026年第三季度，长鑫科技实现营业收入约1187.14亿元，同比增长613.18%；实现归母净利润约544.35亿元。前三季度，实现营业收入2690亿元，同比增长738%；归属于母公司股东的净利润1320亿元。研发投入方面，前三季度累计研发投入110.71亿元，同比增长73.03%。

本次展会，长鑫展出的已量产第五代技术平台（G5）依托四重曝光工艺，把内存阵列有源区半间距微缩至11.95纳米，比肩全球顶尖水平的DRAM量产制程，每片晶圆产出裸片数量较上一代平台提升至少50%，产品竞争力与经济效益大幅提升。

LPDDR6首发、G5量产、4F²进展、G6工程样片验证，这些动作背后，是长鑫在研发投入和产业链协同上持续加码。研发底座不牢，分层产品布局就难以为继；手里攥着技术底牌，需求变化才有望转化为增量空间。

写在最后

集微网观察认为，长鑫在IC China 2026上亮出的不只是产品矩阵，还有一条更清晰的竞争逻辑。服务器、汽车、手机的需求曲线已经不再同步，AI推理中的Decode、Prefill、多卡训练对带宽、算力、容量各有不同约束，存储厂商得从“一款产品打天下”转向“全场景产品布局”。4F²、VSG、混合键合、G5/G6平台是长鑫的底层技术底牌，下一阶段竞争的“胜负手”将由它们共同构成。