国产再突破：中微公司首台等离子体晶圆切割设备成功交付国内重要集成电路封装客户
IT之家 11 月 10 日消息，中微半导体设备（上海）股份有限公司（简称“中微公司”）近日发布其全新产品 ——Primo Matrix 双反应台等离子体晶圆切割设备，今日宣布首台设备已顺利付运国内重要集成电路封装客户。 随着先进封装技术成为延续摩尔定律的重要路径，晶圆切割作为封装工艺中的关键环节，直接影响芯片良率与生
中微半导体设备（上海）股份有限公司（简称"中微公司"）近日推出新品Primo Matrix双反应台等离子体晶圆切割设备，11月10日宣布首台已顺利付运国内一家重要集成电路封装客户。
先进封装被视作延续摩尔定律的重要路径，晶圆切割则是封装工艺中的关键一环，直接关系到芯片良率与生产效率。
先进封装对高精度、低损伤、窄切割道提出了迫切要求，中微公司借此在等离子晶圆切割设备领域拿下重要突破；新发布的Primo Matrix也为这条路线国产化落地添了一个头部方案选择。
中微公司 Primo Matrix
该设备可兼容带框架200mm、300mm晶圆的高效率切割需求。切割精度上，它能适用于最小到5μm的不同切割道宽度工艺，减少晶圆面积损耗，提升有效芯片产出，契合芯片微型化趋势下的高精度切割要求。
工艺兼容性方面，设备支持的晶圆厚度范围为25–700μm，超薄晶圆与常规厚度晶圆的切割需求都能覆盖，可用于晶圆减薄后切割以及多种先进封装工艺。
设备以300mm晶圆为主要加工平台，向下兼容200mm晶圆切割工艺，在不同尺寸晶圆生产线上的应用灵活性因此提高。
Primo Matrix
此外，Primo Matrix
该设备还具备介质层等硬掩膜开口刻蚀能力，能适配带有介质层及复杂表面结构的晶圆加工需求，工艺应用范围进一步拓宽。
目前中微公司的刻蚀设备已全面覆盖65纳米到3纳米及更先进工艺的刻蚀应用，也全面覆盖存储器中各类超高深宽比刻蚀应用。介质刻蚀达到60比1、90比1的极高深宽比，硅刻蚀达到140比1的极高深宽比，已达国际一流水平。该公司行业首创的双反应台（Dual-Station）ICP刻蚀技术，达到0.2纳米的单原子水平，相当于一根头发丝直径的30万分之一。
中微公司称，今后五年将靠“有机生长和外延扩展”两条路子把产品线铺得更宽，刻蚀、薄膜、湿法以及量检测设备都会做，目标对准高端半导体设备市场约60%以上、先进封装设备市场70%以上的份额。
