HBM产能争夺烧到设备端：TOWA单季订单创新高

HBM的产能争夺，如今正一路烧到设备产业链上。

过去两年，外界盯得最紧的是SK海力士、三星、美光怎么把HBM产能做大，以及谁先跑通HBM4量产。AI芯片需求还在往上走，另一个问题随之冒了出来：存储厂商就算有钱、有厂房，先进封装设备能不能及时买够？

日本设备厂商TOWA近期的订单变化，已经把这种紧张摆到了台面上。据MoneyDJ报道，TOWA在2026年7月至9月的订单金额为329.7亿日元，同比增长125.8%，单季度创下历史新高。订单增长也推动公司上调了本财年的营收和利润预测。

TOWA只是一个缩影。HBM扩产实际拉动的是一整套设备需求，芯片键合、TSV加工，再到晶圆减薄、研磨、模塑和检测，多个制造环节都因此出现了新的投资机会。

HBM为何会牵动这么多设备？

和传统DRAM不同，HBM要把多颗DRAM Die垂直堆起来，靠硅通孔（TSV）在芯片之间打通高速连接。产品从8层堆叠走向12层、16层乃至更高层数，制造工艺的复杂程度也随之一路上升。

以往一颗DRAM芯片走完传统晶圆制造流程，再做切割和封装就算完成。HBM不是这个路子：晶圆制造之后，还得接着做TSV加工、晶圆减薄、芯片堆叠、键合以及模塑等一系列工序。

堆的层数越多，每一道工序的门槛也就越高。

比如，DRAM Die必须减薄到很薄的厚度，才能压住整个HBM封装的高度要求。可芯片越薄，机械强度就越低，晶圆在搬运、研磨以及后续加工中更容易出现破损、翘曲。

这时候就轮到临时键合和解键合设备、晶圆减薄设备以及高精度研磨设备一起上阵。

日本DISCO是这一环节的重要设备供应商，其晶圆研磨、切割设备在先进封装产业链中占着关键位置。HBM堆叠层数继续增加，芯片减薄和切割工艺的分量还会进一步加重。

设备需求更集中的另一个环节，是键合。

现在HBM量产的主流做法是热压键合（TCB）：把多层DRAM Die叠起来，靠加热加压力完成连接。也正因如此，Hanmi Semiconductor（韩美半导体）始终是市场紧盯的对象——它是HBM热压键合设备的重要供应商，SK海力士扩产HBM，它长期跟着受益。

Hanwha Semitech同样在抢这块市场，已经一步步挤进HBM键合设备供应链。不过，设备厂商能抓的机会不只在传统热压键合这一块。

堆叠层数越往上走，传统微凸块连接的问题就越明显：微凸块本身要占地方，芯片之间的连接距离被拉长，封装厚度和信号传输性能也跟着受影响。

于是混合键合（Hybrid Bonding）被越来越多人看上。它和传统TCB的路子不同，靠铜与铜直接连，互连间距可以做得更小，传统微凸块结构能减少甚至取消。对将来层数更高的HBM来说，这一点尤其关键。

眼下BESI、Applied Materials、SUSS MicroTec、EV Group等企业都在布相关设备。韩国厂商也没落下，Hanmi Semiconductor、Hanwha Semitech和

当然，混合键合并不意味着热压键合马上退场。设备成本、工艺成熟度、量产良率都还是待解的题。往后一段时间，两种技术大概率会并行推进。

对设备厂商而言，这其实就是新的市场空间：一边要接住当前HBM3E、HBM4生产线的热压键合需求，一边得提前去争下一代混合键合设备的订单。

键合之外，TSV也是HBM制造里绕不开的一环。

TSV的做法是在硅片内部打出垂直通孔，再用绝缘层、阻挡层和金属填充等工序，把不同芯片之间的电气连接搭起来。深硅刻蚀、薄膜沉积、铜电镀以及CMP，都是这一流程里要用到的工艺。

Applied Materials、Lam Research、东京电子等厂商，在相关设备环节均有布局。CMP的地位尤其突出：TSV和多层堆叠工艺往前走，晶圆表面平不平，直接决定后续加工质量。放到先进封装上看，表面不平整、金属填充有缺陷、微小颗粒残留，都会拖累最终良率。

HBM扩产带来的设备需求不止键合一处，刻蚀、沉积、电镀和CMP的投资也会跟着往上走。

检测设备是另一个常被忽略的环节。HBM要把多颗DRAM Die堆在一起，只要其中一层出问题，整个堆叠就可能报废。芯片价值越高、堆叠层数越多，制造中对缺陷检测、尺寸测量和键合质量检查的要求就越严。

Camtek、KLA等厂商正从先进封装检测需求的增长中获益。混合键合技术对芯片表面状态、对准精度和连接质量的要求更高，过去一些传统封装检测手段，已经很难完全应付新工艺。

换句话说，未来HBM设备投资不是买几台键合机就能了事，得围绕整个制造流程把完整的生产能力建起来。

回到TOWA，这次订单快速增加，也反映出HBM封装需求正在向后段设备传导。TOWA主要做模塑等封装设备，其订单增长说明，AI芯片和HBM封装规模扩大之际，封装保护、材料处理等环节的投资也在同步加码。公司已将2026财年营收预测从640亿日元上调至710亿日元，营业利润预测从102.4亿日元上调至131.5亿日元。

不过，把视线拉到整条产业链上看，这轮设备需求的覆盖面，比某一家企业的订单增长要宽得多。SK海力士、三星和美光均在扩大HBM产能；另一边，HBM4及后续产品往前走，先进逻辑芯片与存储芯片之间的协同封装也变得越来越要紧。

HBM4尤其明显：基础逻辑芯片的制造进一步往先进制程延伸，TSMC等晶圆代工厂的参与度也会更高。换句话说，HBM产业链的设备投资，正从传统存储厂商的后段封装，向晶圆代工和先进封装两头扩散。从设备类型看，这轮机会至少覆盖热压键合与混合键合、TSV刻蚀与填充、晶圆减薄和切割、CMP、模塑以及先进封装检测几个方向。

这些环节里，键合设备受关注最多，但瓶颈并不止它一个。

还有一个变化：HBM未来的设备需求，可能不只来自产能扩张，也来自制造工艺升级。存储厂商即便不再简单加生产线，只要HBM堆叠层数继续往上走，现有设备照样可能被要求升级甚至替换。

这和传统DRAM产业周期不太一样。以往存储市场景气度一降，设备投资往往很快收缩；而AI拉动的HBM需求，正让先进封装变成一项长期投入。

当然，设备订单增长不等于所有厂商都能直接吃到红利。不同设备在客户认证周期、技术门槛和量产进度上各有差异，混合键合尤其如此，成本和良率问题目前仍待进一步解决。

但有一点已经比较清楚：HBM的竞争，正从存储芯片本身往制造设备延伸。SK海力士、三星和美光都在争HBM产能，设备厂商也随之进入新的订单周期。往后真正紧缺的，可能不只是HBM芯片，还有造出这些芯片所需的设备。