2026年国产半导体设备盘点:首台频出,哪些环节已能打

资讯 腾讯网 作者:腾讯网 全文 4952 字 · 约 13 分钟读完 分类芯片

2026年,中国半导体设备行业最不缺的词就是“首台”。 从年初到年尾,国内半导体设备厂商几乎每隔几天就要官宣一台“国内首台”。串列型高能氢离子注入机、关键尺寸量测CDSEM、先进气体团簇离....

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2026年,翻一翻国内半导体设备行业的新闻,"首台"两个字出现得最勤。

从年初到年尾,厂商官宣"国内首台"的节奏几乎按天算。串列型高能氢离子注入机、关键尺寸量测CDSEM、先进气体团簇离子束刻蚀机、EUV光源样机,名目繁多的"全国首台""全球首发"接连冒出。问题也随之而来:这些难题攻克之后,整条设备制造链究竟走到了哪一步?哪些环节已经拿得出手,哪些还啃不动?与海外巨头相比,差距和优势各自在哪?

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今年"国内首台"为何扎堆出现

高光时刻确实一个接一个。1月,中核集团中国原子能科学研究院研制的首台串列型高能氢离子注入机POWER-750H成功出束,官方说法是核心指标达到国际先进水平,功率半导体制造链条上长期缺的那一环补上了。6月,中国电科48所自研的首台关键尺寸量测设备CDSEM做完整机调试和出厂检验,交付客户启运,这类被叫作"纳米标尺"的量测装备,过去基本被海外厂商把持。同期,北方华创发布12英寸先进气体团簇离子束刻蚀设备AcmeGlaion130,还推出第三代12英寸全石英立式氮化硅LPCVD设备。到了10月的展会,朗道燧岩拿出国内公开进度最靠前的本土EUV光源样机,称整体本土化率已达90%。

中微公司上新更密:3月四款,9月六款,覆盖极高深宽比刻蚀、PECVD、ALD金属钼沉积、碳化硅外延等环节,半年内两轮高密度发布。截至2026年,中微累计超过8800个反应台在国内外220余条产线量产。

大盘本身也在升温。SEMI在SEMICON West上发布的《300mm晶圆厂展望报告》预计,2026年全球300mm前道晶圆厂设备支出将达1490亿美元,比2025年的约1130亿美元增长31%,创历史新高;之后几年投资仍将保持两位数增速,2029年升至2270亿美元。

首台密集冒头,意味着本土设备的技术瓶颈正被一点点撬开。十年前产业发愁的是刻蚀机、清洗机能不能造出来,如今讨论的是全产业链设备能不能补齐,这已经是生态层面的变化。不过对"首台"还得冷静:样机到量产、量产到稳定大批量交付、再被头部晶圆厂当成主力机台,中间横着好几道坎。

2025年全球设备厂商排名里,

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已经能打的环节,优势在哪

按本土化率给设备分层,最顶上的是去胶设备,28nm及以上成熟制程本土化率约80%到90%,是整条工序链上自给最彻底的一段。屹唐半导体以全球第二的市占率(约33.7%)成为主要受益者,国内产线的去胶设备基本不再依赖外部。往下走,刻蚀、清洗、CMP、热处理几大工序在成熟制程已形成规模部署。

本土设备突围,清洗环节是最早撕开口子的领域之一。盛美上海以差异化创新切入这条赛道,产品覆盖的清洗工艺步骤大约有95%,Gartner的数据显示其全球清洗设备市占率约8.3%、位列全球第四;放到国内本土清洗设备里,这家公司的份额是60.5%,国内整体份额只排在日本DNS之后。电镀设备和先进封装设备也被它做了进去,单片清洗设备则已交付给新加坡等地的海外客户。本土设备从内卷走向出海,这一步颇具标志性。

CMP设备则像个"样板间"。华海清科在本土CMP市场几乎一家独揽,占本土CMP装备销售90%以上份额,在国内部分头部集成电路制造企业的采购量中占有率最高可达90%以上,先进制程机型已通过多家头部晶圆厂全流程工艺验证。它的路子有代表性:先把单一环节做到极致,再往外延伸,如今华海清科也在布局离子注入装备。

刻蚀和薄膜沉积是市场规模最大、技术含量也最高的两块,本土厂商在这里的突破最扎实。中微公司的CCP刻蚀设备早已进入台积电5nm产线,这是本土设备打入全球最先进产线的一张名片。北方华创的刻蚀设备和薄膜沉积设备收入2025年双双突破百亿,覆盖28纳米及以上成熟制程并向更先进节点延伸。拓荆科技深耕薄膜沉积,同时向先进封装混合键合拓展。刻蚀与薄膜沉积共用等离子体物理、真空腔体、射频功率等核心技术底座,一家企业在刻蚀攒下的经验可以复用到沉积设备上,本土厂商能在这两个环节快速平台化,原因就在这里。

本土设备的核心优势,说到底就三张牌。一是本地服务,晶圆厂出了问题,本土厂商几小时内就能到现场,海外巨头做不到这种贴身响应。二是成本,同等性能下本土设备价格通常明显更低,备件和维保也便宜。三是客户验证窗口,供应链安全考量之下,国内晶圆厂比以往更愿意开放产线给本土设备验证,这个"被信任的机会"在过去十年是最稀缺的资源。中科飞测累计交付约2000台量检测设备。

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中间地带:在爬坡,但仍吃力

刻蚀、清洗这些大市场之外,还有一片技术难度高、市场规模相对小的"深水区",本土化率停留在个位数到十几个百分点,离子注入、量检测、涂胶显影是最典型的代表。

离子注入机号称芯片制造"四大核心装备"之一,国内整体本土化率却在15%左右,大束流机型不足10%。更棘手的是,国际最先进的离子注入机已禁止对华出口,连对应的二手设备都买不到,国内晶圆厂只能用老旧型号,良率和稳定性直接受影响。这条赛道上的玩家在变多:中科信、凯世通是老面孔,艾恩半导体、思锐智能、晶盛机电、北方华创也涌了进来。艾恩已形成覆盖中束流、大束流、高能、特种的全谱系矩阵,思锐智能的高能和大束流机型已经出货,晶盛机电的硅中束流机型正在客户验证。但几乎所有玩家都还没盈利,普遍处在高研发投入阶段。离子注入难在技术路径搬不动,核心是离子光学、电磁质量分析、高压加速,更像粒子加速器而非传统工艺设备,刻蚀机上的积累几乎挪不过来。首台串列型高能氢离子注入机出束是好消息,可从出束到稳定支撑先进功率器件量产,路还长。

量检测是本土化率垫底的环节之一,前些年连10%都不到。晶圆厂对这类设备极不放心:它不直接参与造芯片,却判一片晶圆是合格还是报废,一点微小缺陷就可能让整批货打水漂。不过近两年变化看得见。中科飞测量产和验证过的设备,已覆盖质量控制设备市场总量的七成以上,明暗场缺陷检测在四大晶圆厂实现高比例替代;御微半导体的掩膜检测设备做到海外顶尖水平、可完全替代;东方晶源的CDSEM量测重复性达0.15纳米;中国电科48所的首台CDSEM也已交付客户。但业内人也承认,头部晶圆厂新采购时仍会留进口设备当基准标尺,本土机器要复刻海外机台的检测结果做match对照,才能证明性能。这堵信任墙,还没完全推倒。

涂胶显影的本土化率在6%上下,长期由东京电子和DNS把持。芯源微、盛美等厂商正进入头部存储客户验证,一旦突破,替代空间相当大,眼下还处在导入期。

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最硬的骨头,还是光刻与键合

深水区已经够难,光刻机和混合键合则是“难上之难”,本土设备真正够不着的地方就在这里。

光刻是半导体设备中最大的单一品类,本土化率却最低,不到1%,几乎全靠ASML、尼康、佳能供货。国内主力只有上海微电子一家,其展出的I-line扫描投影光刻机分辨率280纳米,KrF干式光刻机分辨率110纳米,客户累计产量超1000万片。再往上游走,EUV光刻机是绕不开的天花板。朗道燧岩的EUV光源样机本土化率号称90%,可剩下那10%往往最要命——可能是特殊光学材料、超高精度传感器、特定规格的激光器组件。半导体设备的逻辑很残酷:任何一个零部件断供,整台机器就是废铁。蔡司半导体部门负责人公开表示,中国在EUV技术上大约落后西方15年;瑞银分析师推断,中国至少10年后才可能造出替代ASML顶级设备的机型。本土EUV要从光源样机走到商用,工程化的路还很长。

先进封装里的D2W混合键合设备,是另一块硬骨头。后摩尔时代,先进封装成了延续算力增长的关键路径,键合设备直接决定芯片性能和良率。国内青禾晶元、拓荆、芯慧联芯、星空科技都拿出了混合键合产品,但从业者说得很直白:W2W工艺早已成熟,真正的硬仗在D2W。目前D2W混合键合设备主要由荷兰BESI垄断,全球只有台积电具备D2W工艺量产能力,国内厂商几乎都停在验证阶段,缺量产落地的成熟产品。D2W的难处有三:下游缺牵引,国内暂无D2W工艺量产客户,工艺参数需求说不清楚;验证资源稀缺,头部晶圆厂高价值晶圆物料有限,新进入者很难拿到产线验证机会;跨环节协同门槛高,混合键合要结合光刻补偿等前道工艺能力,是系统工程。

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国外巨头强在哪

国外设备巨头能占住高端市场,凭的是几十年积累和先发优势。

光刻这块,ASML垄断EUV光刻机,2018年就做到250瓦光源功率,2025年4月又完成1000瓦级EUV光源演示,这种工程化水平本土光源样机短期内追不上。同时ASML对中国市场的依赖在加深:2026年第三季度对中国销售额环比暴涨109%,中国占比从14%跃升至23%,全年预计贡献约20%营收;而2023年起中国大陆一度是它的全球第一大市场,2024年和2025年占比都在30%以上。反差很微妙——对华销售节节攀升,高端型号却被管制,卖给你的永远是“够用但非顶配”的那一批。

刻蚀领域,泛林集团全球市占率约52.7%,全球前五大厂商合计占据86.3%;泛林2025年还实现约210个基点的份额提升,靠的是高端刻蚀设备的工艺优势。量检测领域,科磊在套刻误差量测的中国市占率达46.2%,几乎占去半壁江山。这些巨头在先进制程的工艺know-how、客户多年积累的信任、全球化服务网络以及核心零部件供应链上,仍是本土厂商短期内翻不过去的壁垒。

不过国外巨头也有软肋。一是价格和响应:设备贵、备件贵、服务慢,本土化不足。二是管制反噬:越先进的设备越被出口管制捆住手脚,反倒把中国市场让给了国内厂商,这正是本土设备拿到验证窗口的根源。三是“过度依赖单一市场”的风险:对中国营收占比过高,地缘政策一旦生变,这些巨头的业绩就会剧烈波动。

 06

差距、短板,和一句实话

把各环节本土化率摆到一起,结论很清楚。去胶、清洗、CMP已接近或过半自给;刻蚀、薄膜、热处理在成熟制程站稳了脚跟;量检测、离子注入、涂胶显影还在导入爬坡;光刻和EUV则几乎完全靠进口。整体看,据韩媒报道,中国晶圆厂已安装设备中本土占比已升至35%左右,2026年上半年八家设备企业营收增长13.8%至69%。

真正的卡点其实在制程这一环。成熟制程这边,28纳米及以上的设备本土化率已超过一半;可到了14纳米及以下,刻蚀的自给率连15%都不到,先进制程整体同样不足15%。想用成熟制程的设备和工艺绕开EUV去做先进制程,良率和成本就得一路扛着代价。本土设备眼下“从0到1”的首台并不缺,缺的是“从1到N”的量产稳定性、先进制程上的工艺验证,还有核心零部件能不能自己做主——EUV光源那10%的进口零部件,就是最直白的例子。

另一层担心来自赚钱能力。离子注入厂商普遍在亏,量检测、涂胶显影这些玩家,大多还得靠高研发投入硬撑。设备本土化是长跑,不是百米冲刺。产业健不健康,不能只看有没有首台,还得看这些企业能不能靠经营性现金流活下去、能不能滚动投下一代研发。好啃的骨头已经啃完,剩下的都硬,这话说的是眼下,也是个提醒。

客观地说,本土半导体设备已经站在一个关键坐标点上。规模上,中国已是全球最大的设备采购市场,为本土厂商提供了其他国家没有的验证和应用土壤。技术上,刻蚀、清洗、CMP已在全球产业链里占住一席之地,平台型龙头开始冒头,中微、北方华创的体量和产品广度,已经够得上和国外二线厂商掰手腕。结构上,从工艺设备到量检测、到封装设备、再到核心零部件,全链条的玩家都在涌现,生态正在成形。

短板也摆在明面上。光刻环节存在断层,EUV 还得长期攻坚,离子注入和量检测要跨过信任门槛,D2W 键合的量产仍是空白,核心零部件也得靠自主化。这些问题没法靠某一个点突破解决,要靠产业链上下游一起验证,靠长期高强度的投入。国外巨头手里是几十年攒下的壁垒,本土设备能拿出手的是贴身服务、更低的成本,还有一个愿意给机会的本土市场。

说回最初的那个问题:本土设备究竟走到了哪一步?大市场已经跑通,深水区还在啃,最难的光刻仍需继续努力。首台的意义不在那台样机本身,而在于它让产业链上每一环都看到,这条路有人在前头走,最难的一段已经走过去了。

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