高启全：台积电做DRAM不可能，长鑫2年后产能放量

11月10日，兆捷科技上市前媒体交流会上，有“DRAM教父”之称的高启全接受采访。他直言台积电跨界做DRAM“不可能”，同时警告长鑫存储“两年后产能大量开出”，全球市场届时将供过于求。高启全当过南亚科总经理、华亚科董事长，也在英特尔、台积电任过职，眼下是兆捷科技董事长。他在中国台湾存储产业圈说话有相当分量。

市场最近有传闻说，英伟达希望台积电评估3D DRAM制造，好配合先进封装与异质整合的需求。台积电方面的回应是不评论市场传闻，并重申会专注晶圆代工这一核心业务。

高启全对此的看法是，台积电持续深化先进封装与3D整合技术，和台积电自己要不要生产DRAM存储单元，是两个独立的问题。深化封装和3D整合可以继续做，但没必要因此直接跨进DRAM制造。逻辑芯片和DRAM在制程技术、产品设计、量产经验上差别显著，“你只要不是专业的，很难做”。他还提起早年世界先进试过跨入存储领域，最后失败收场、转回代工，认为台积电不会重走这条路。

高启全给出的技术依据，是DRAM本身绕不开的结构性难题。按他的解释，DRAM的每个存储单元由一颗晶体管加一颗电容构成，电容这一物理实体使面积很难再压缩，漏电问题也相当棘手。眼下主流DRAM只做到6F²架构，4F²还没有哪家厂商真正实现大规模量产。NAND Flash因为没有电容结构，可以做到4F²；可DRAM要走3D堆叠，用他的话说在技术上“极难成真”。他还强调，三星与美光都没能做出来，中国厂商虽然高调宣传4F²的进展，短期之内仍难有突破。

美光其实已在2026年10月明确放弃4F²路线。首席技术与产品官Scott DeBoer称该方向“没有可行的微缩路径”，美光将沿6F²路径开发3D DRAM。

媒体追问，AI时代逻辑芯片与存储器逐渐走向3D堆叠、异质整合，台积电是否需要自行生产DRAM？他明确表示，这是两回事。

相比台积电那边的传闻，高启全的警告更集中在长鑫存储的DRAM扩产上。据他透露，长鑫存储已在北京、上海等地大举扩建，规模“极为庞大”。“两年后，产能就会大量开出来。”

中国台湾业者间流传着一种乐观说法：“中国大陆产能仅供内需，不致影响全球市场”。高启全对此专门做了反驳。在他看来，这不过是当前市况良好时的短期表象。就算长鑫存储拿不到EUV设备、只能沿用成熟制程，一旦产能大量倾泻出来，市场照样会陷入严重的供过于求。

三星电子前半导体事业社长庆桂显早前也发出过警告：中国存储厂商激进扩产，可能在2027年下半年让全球供给激增，价格最快2028年上半年就会大面积走低。

访谈中，高启全还聊到了NAND Flash市场的竞争格局。他提到，自己早年参与创立的长江存储，NAND Flash技术已达到全球领先水平，甚至把专利授权给了三星与美光。

这一说法早有公开信息佐证。2025年，三星已与长江存储签署3D NAND Flash混合键合专利许可协议，从V10 NAND开始使用其“混合键合”技术。长江存储围绕Xtacking架构的全球专利超过12800件，其中混合键合核心专利119件。这与逻辑代工受制于EUV设备的处境形成对比：中国在NAND Flash 领域确实积累了可输出的专利资产。

高启全认为，中国台湾存储厂在扩产上慢了半拍，技术和市占率都落后于对手。市场一旦缺货，国际终端客户还是会转向中国大陆供应商拿货，美国政府想全面拦阻也做不到。两年后中国大陆存储产能全面开出，竞争外溢最先冲击的，就是中国台湾存储产业。