佳能推KrF光刻新机FPA-6400ES6a：参数对标ASML，市场难撼动？

佳能计划在12月初发布新一代氟化氪（KrF）光刻设备FPA-6400ES6a。距离该公司上一次推出KrF光刻产品已过去10年，而KrF扫描式光刻机的上一次上新更是隔了14年。

这台新机的晶圆处理速度是每小时400片，比上一代快了约1.3倍；套刻精度为4.0纳米，佳能称这一水平在业内也属顶尖。单看这两项，FPA-6400ES6a已经可以对标荷兰巨头阿斯麦（ASML）长期占主导的高端KrF机型NXT:870B。

生成式人工智能（AI）的普及推高了先进芯片需求，存储芯片制造商也在加码投资，KrF光刻设备市场随之升温。佳能选择这个节点推新机型，意图很明确：靠性能升级去抢更多份额。

可纸面参数追平阿斯麦，不等于佳能就能轻松动摇对方的地位。新设备要进市场，得先向采购方证明自己能融进现有生产体系，和其他设备保持精确匹配。

按照佳能的说法，FPA-6400ES6a每小时可处理400片晶圆。上一代FPA-6300ES6a在2012年4月推出，启用相关选配功能后，每小时只能处理超过300片。

FPA-6400ES6a 佳能

从速度上看，佳能新机基本追上了阿斯麦的旗舰产品NXT:870B。后者2025年开始出货，晶圆处理速度同样是每小时400片。这一领域如今已是设备厂商角逐的重点方向——对晶圆厂而言，光刻设备吞吐量上去了，不必大幅增加厂房和设备数量，就能释放更多产能。

为了把处理能力提上来，佳能新机型用上了新开发的超高加速度工作台，以压缩设备运行时间。该机型还配有振动抑制技术，高速运行状态下也能稳定、高精度地控制位置；温度控制技术则让激光光路沿线的温度保持均匀。

精度方面，这台设备的套刻精度为4纳米。套刻精度是衡量光刻机性能的重要指标，反映的是不同工艺层之间的图形对准能力，精度不够可能拖累芯片性能和良品率。佳能称，在支持300毫米晶圆的KrF扫描式光刻机中，这一指标处于行业领先水平。

不过，4纳米套刻精度用的是哪种测量口径，佳能还没披露——究竟是单台设备的精度，还是多台设备协同运行时的匹配精度。这个区别不能小看：晶圆厂往往要靠多台光刻机配合完成不同工艺层的曝光，设备之间能否保持一致的对准精度，直接关系到生产良率。

《半导体行业观察》援引分析称，阿斯麦此前推出的XT:1060K，单机套刻精度已经做到3.5纳米。假如佳能的4纳米同样只是单机指标，那很难说领先；反过来，若这4纳米是多台设备匹配后的结果，竞争力就完全是另一回事了。

除处理速度和套刻精度外，佳能还给新机型加了可选光源Hi-ALS（High Alignment Light Source）。用户可依据材料和生产工艺，自行选择对准测量所用的波长，从而在更多制造工序里实现高精度定位。

设备还新增晶圆翘曲检测与校正功能：曝光前先测量晶圆翘曲程度，再通过调整工作台的吸附气流量来校正。新机型支持的晶圆翘曲量扩大到700微米，应对先进封装和晶圆键合工艺中的晶圆变形问题，能力进一步增强。

能耗方面，新机型引入电力控制技术，把工作台减速时产生的再生电能存进电容器，加速时再拿出来用。同时，通过采用高效率电源、简化冷却机构，曝光过程中每片晶圆的耗电量也降了下来。

存储芯片制造仍离不开KrF这类成熟光刻技术。3D NAND朝更多堆叠层数推进，相关工序对光刻设备的需求随之上升；铠侠、SK海力士、美光等存储厂商加大投资，同样为KrF设备市场带来新的增长动力。

佳能此时推出FPA-6300ES6a，显然是不想错过这一市场机遇。

但新机型售价尚未公布，目前还难以判断它能给公司业绩带来多少具体贡献。设备进入规模化量产后出货情况如何，将是市场关注的焦点。另外，成熟制程设备需求容易受中国市场波动影响，未来的订单环境同样值得留意。

而且长期以来，极紫外（EUV）和ArF（氟化氩）浸没式光刻市场由阿斯麦占优，佳能和尼康则主要在KrF、i-line等成熟制程领域相互竞争。

阿斯麦在EUV和ArF上的优势或许意味着：即便佳能在部分关键指标上已经追平，短期内仍难从阿斯麦手里抢走市场。

《半导体行业观察》指出，阿斯麦的KrF设备与浸没式光刻设备在技术平台、晶圆台及部分硬件体系上有一定连续性。对已经大规模采用阿斯麦设备的晶圆厂来说，继续买该公司的KrF设备，既能延续既有设备体系，也能少花不同平台之间的匹配验证成本。

反过来，晶圆厂若引入佳能的新设备，就得额外验证它与现有阿斯麦设备之间的套刻匹配表现。佳能的4纳米精度，与阿斯麦设备匹配后未必还能达到同等水平，这可能成为佳能今后争取订单的一大障碍。