佳能新KrF光刻机对标ASML:400 wph、4nm套刻精度
在光刻机市场,ASML长期占据着绝对主导地位。不过,在KrF(氟化氪)光刻领域,佳能(Canon)正在试图撬动这一市场格局。 近日,佳能推出新一代KrF光刻机FPA-6400ES6a,在关....
光刻机市场上,ASML的绝对主导地位已经维持多年。不过佳能(Canon)正在KrF(氟化氪)光刻这一块试着撬动既有格局。
佳能近日发布新一代KrF光刻机FPA-6400ES6a,关键性能指标直接对准ASML的NXT:870B:两款设备的晶圆处理速度都做到了每小时400片(400 wph)。佳能同时称,新设备套刻精度(Overlay)达到4nm,处于行业领先水平。
只看纸面参数,佳能似乎已经有了和ASML正面掰手腕的实力。况且在光学系统与设备价格上,佳能也有自己的长处。
这是否说明ASML在KrF市场的优势就要被打破?事情恐怕没那么简单。
KrF光刻机成了新的竞争焦点
要看懂佳能这次推新设备的意义,得先弄清楚KrF光刻机市场眼下在发生什么变化。
KrF即氟化氪准分子激光光刻技术,光源波长为248nm,属于成熟光刻技术。在先进逻辑芯片制造中,ArF浸没式光刻和EUV虽然已经变得更重要,但KrF在存储芯片制造里仍占着重要位置。
3D NAND尤其如此。NAND闪存朝着更高堆叠层数走,制造环节的光刻需求也随之改变。存储阵列结构、外围电路以及其他关键图形,都离不开大量光刻工序的支撑。
另外,铠侠、SK海力士、美光这些存储厂商也在持续投钱,KrF光刻设备因此多了一块新需求。KrF眼下成了光刻设备市场里增速较快的细分品类。
ASML
这台机器从2025年起开始出货,每小时可处理400片晶圆,在投影式光刻设备中属于吞吐量最高的机型之列。
对晶圆厂来说,产线效率直接对应经济收益。一台光刻机若能在厂房面积不变的前提下多处理晶圆,工厂就多了一条靠设备升级挤出产能的路子,不必把希望全押在新建厂房、多买设备上。
正因如此,ASML这几年反复把生产效率挂在嘴边。
佳能此时拿出FPA-6400ES6a,目标显然落在同一个竞争方向上。
400片/小时,佳能追上了ASML
佳能FPA-6400ES6a最受关注之处,在于生产效率与套刻精度这两项核心指标上,都给出了颇有竞争力的数据。
先看生产效率:该机晶圆处理速度达到400片/小时,与ASML NXT:870B持平,也就是说,在KrF光刻机最关键的生产效率指标上,佳能已经追上了ASML的旗舰产品。另一项关键指标是套刻精度(Overlay),它衡量的是不同光刻层之间图形对准的准确程度——多层结构的芯片制造中,上一层与下一层的图形必须准确对齐,否则器件性能可能受影响,甚至产生缺陷。
这里有个技术细节:套刻精度并非只有一种量法。一种是单机套刻精度(SMO),图形对准和测量都由同一台光刻机完成;另一种是机台间套刻精度(MMO),考察的是多台光刻机组成的设备群之间能否保持一致的套刻表现。
两者的区别很关键。晶圆厂实际生产一般要多台光刻机协同作业,同一片晶圆的不同工艺层可能分由不同设备完成。所以,机台之间的匹配能力,往往比单台设备的最佳性能更具实际意义。
佳能称FPA-6400ES6a的套刻精度为4nm,并称这是KrF光刻机中的行业领先水平。但佳能并未充分说明这一数字采用的是哪种测量口径。
分析师据此作了进一步推测:结合佳能“行业领先”的表述及相关脚注,这个4nm更可能指多台佳能设备匹配后的MMO表现,而非单机SMO。
为什么这一点重要?
ASML此前推出的XT:1060K已宣称实现3.5nm单机套刻精度。若佳能的4nm同样只是单机指标,那实际上很难说得上领先。
反过来,如果佳能的4nm确实是多台设备匹配后的结果,竞争力就大不一样了——MMO直接关系到晶圆厂能否把多台设备放在同一条生产线上协同运行。
光学系统方面,佳能也强调了自己的优势。分析师指出,FPA-6400ES6a所用镜头尺寸为0.86,ASML NXT:870B为0.8;按分析师的观点,镜头尺寸更大有助于提升图形分辨率。
不过,单看镜头尺寸并不能直接定下光刻机的实际分辨率,光学系统设计、数值孔径以及其它工艺环节同样会影响最终表现。可至少从这些参数看,佳能这次拿出的并非一台单纯靠低价替代的设备,它想在核心性能上也站住脚。
另外,佳能在设备定价上向来有优势。若只把单台设备的性能和采购成本放在一起比,FPA-6400ES6a的吸引力确实不小。
ASML真正的护城河,不只是光刻机
那佳能能不能靠这款新设备,直接撼动ASML在KrF市场的位子?分析师的判断是否定的。
问题不在佳能的设备性能差,而在于半导体制造有个很特别的地方:光刻机不是单独干活的设备,不同种类、不同型号的光刻机得在整个生产流程里高度匹配。
一家存储芯片制造商的生产线上,可能同时跑着i-line、KrF和ArF浸没式光刻设备。各台设备负责不同的工艺层,可这些工艺层之间对图形对准有严格要求。
也就是说,光刻设备之间的匹配不局限在某个工艺模块内部,它贯穿整条晶圆制造流程。
以一条NAND生产线为例,某些关键图形的曝光交给ArF浸没式光刻机,其他层则由KrF设备完成。两台机器各自的套刻精度哪怕都很出色,只要彼此之间匹配不好,图形照样会偏移,芯片良率随之受损。
这正好是佳能绕不开的坎。ASML在ArF浸没式光刻市场占位已久,它的浸没式设备与KrF设备在平台、晶圆台以及部分硬件体系上存在一定的技术延续性。换句话说,ASML自家不同型号之间的匹配关系,已经过了长时间的检验。
对那些已经成规模使用ASML光刻设备的存储晶圆厂来说,继续买ASML的KrF设备,买的不只是一台光刻机,更是在延续现有设备体系里的匹配能力。
一旦晶圆厂打算引进佳能的KrF设备,就得额外验证它与现有ASML设备之间的套刻匹配表现。佳能单机即便能做到4nm,也无法直接推出它与ASML浸没式光刻机配合工作时还能达到同一水平。
分析师的判断更直接:佳能设备进入以ASML为主的晶圆厂生产体系后,它与ASML设备之间的匹配表现很可能远达不到佳能宣称的4nm。这种跨设备平台的匹配问题,或许会成为佳能抢订单时最大的拦路虎。
市场份额也是个很现实的难题。分析师指出,近几年ASML每年的KrF光刻机出货量约为佳能的2至3倍。部分纸面参数上ASML设备并不占优,价格还更贵,出货规模却依然更大。
可见半导体设备市场的竞争逻辑,并非简单比一比性能参数。对晶圆厂来说,设备能不能融进现有生产体系、不同工艺层之间的匹配能不能保证、良率能不能稳住,往往比单台设备某个最佳参数更重要。
佳能推出FPA-6400ES6a,让KrF光刻机市场多了一个值得关注的竞争者。400片/小时的吞吐量、4nm的套刻精度,也说明佳能在努力缩小与ASML的技术差距。
不过真要撼动ASML,佳能需要证明的恐怕不只是单台光刻机的性能,而是自己能否挤进晶圆厂已经建好的整套光刻设备生态。
有分析师指出,在半导体设备这一行,设备本身最顶尖,并不等于订单拿得最多。真正能分出胜负的,有时要看晶圆厂肯不肯为了一台新设备,去改动那套已经跑了很多年的生产体系。