特斯拉AI芯片路线图出炉：第六代推理加速器性能瞄准四代80倍
特斯拉披露了其经过调整的AI加速器路线图，从中可以一窥该公司未来芯片研发的方向。特斯拉预计，其第六代推理加速器的计算性能将达到现有第四代芯片的80倍；而其D3训练加速器将不再采用以SRAM为核心的架....
特斯拉公开了调整后的AI加速器路线图，外界可借此观察其后续芯片研发的走向。按照规划，第六代推理加速器的计算性能要做到现有第四代芯片的80倍。D3训练加速器则放弃以SRAM为核心的架构，改用集成堆叠式HBM的多芯粒（chiplet）设计。
特斯拉还用“超级智能”（Super Intelligence，简称SI）这一说法替代“人工智能”（AI）来称呼自家AI加速器，加速器的命名标识也相应改成“SI”。马斯克近期确认，SpaceXAI同样出于这个原因将更名为SpaceXSI。
Dojo D3：不再采用晶圆级集成？
特斯拉AI硬件路线图里，自研训练加速器“Dojo”的“回归”大概是最受关注的一步。埃隆·马斯克（Elon Musk）曾在2025年8月砍掉整个晶圆级Dojo项目。到了2026年8月，他又表态，SpaceX和xAI在地面及太空数据中心将完全采用
特斯拉
把定制的HBM（高带宽内存）模块用晶圆级封装堆到逻辑芯片（logic dies）上，是一条可行路径。问题是这套做法太贵，只有在以SRAM为核心的架构这类特定场景里才划得来。逻辑芯片之间靠晶圆级互连、再把HBM叠上去，麻烦会一连串冒出来：设计更复杂、散热更难压、制造难度上去（良率可能往下掉）、长期可靠性存疑，最后成本还得涨。加冗余设计、优化工艺，大部分难点能压下去，可钱也得多花，D3走晶圆级封装这条路的机会因此变小。
到目前为止，D3的算力、内存容量、制造工艺和开发进度，特斯拉都没有公开。它给出的说法是，Dojo D3会围绕“空间占用、训练能力和扩展性”做优化。照这个口径，这颗单元不光性能要够，扩展性也得好，又一次指向传统加速器架构，而不是晶圆级封装。还有一处更让人琢磨：D3要针对“地外部署”优化，这基本意味着至少部分型号会做抗辐射加固（radiation hardening）。
SI6：几年内性能将达到HW4的80倍
路线图里另一个细节是第六代推理加速器（SI6）的预估算力：计算能力为HW4的80倍，内存容量为HW4的9倍。按HW4性能的不同算法（下文的解释可供参考），SI6算力大致落在17,280到46,080 TOPS（每秒万亿次运算）之间，也就是17.28到46.08 POPS（每秒千万亿次运算）。它支持哪些数据格式，眼下还不清楚。这些数字只是估算，参考时得留个心眼。拿英伟达（Nvidia）的Rubin GPU做个对照：推理任务50 NVFP4 PFLOPS，训练任务35 NVFP4 PFLOPS，另支持17.5 FP8/FP6 PFLOPS。Rubin GPU已经开始向客户出货，SI6则要等到2029年至2030年。SI6的更多细节下文还会展开。
特斯拉车上现用的第四代推理处理器，最早叫HW4，后来更名AI4，现在称SI4。这颗芯片由三星代工（Samsung Foundry）以7nm级工艺制造，封装走的是传统倒装芯片球栅阵列（FCBGA）（网传特斯拉演示文稿有误，称其为5nm级工艺）；内存配了16 GB GDDR6。特斯拉把它当作“全自动驾驶”（FSD）技术的当前基准，后面几代产品都拿它来比。但官方始终没公布具体算力、内存容量和功耗，横向对比因此不太好做。埃隆·马斯克说过，HW4性能是HW3的3到8倍；HW3官方额定算力72 TOPS，照此推算，HW4是一颗算力在216到576 TOPS之间的专用集成电路（ASIC）（以上均为估算值）。
幻灯片也再次确认，即将推出的第五代推理加速器代号SI5（亦称HW5或AI5），将由台积电（TSMC）和三星晶圆代工（Samsung Foundry）分别以3nm和2nm级工艺制造。这颗芯片采用多芯片模组（MCM）设计，和HW4的传统封装方式不一样。据埃隆·马斯克（Elon Musk）透露，Tesla预计SI5性能比HW4提升40倍，其中算力涨八倍（靠更精密的工艺和更多执行单元），芯片优化再带来五倍增益。按HW4性能的不同算法，SI5算力预计在8,640到23,040 TOPS之间（估算值）。功耗预计在250W到800W之间，视具体应用场景而定，所以眼下做精确性能估算意义不大。内存容量将达到前代的六倍，即96 GB。内存类型取GDDR6还是GDDR7，决定了Tesla SI5的内存带宽是768 GB/s至1.536 TB/s。
第六代推理加速器（SI6）的算力预计再进一步，达到HW4的80倍，内存容量为当前一代的八倍。折算下来，算力可能到17.28 – 46.08 POPS（每秒千万亿次运算，取决于HW4性能怎么算），内存144 GB——对一款AI加速器来说，这个性能和内存容量都相当高。
生产方面，Tesla已与三星晶圆代工达成协议，第六代推理加速器由后者制造，合作持续到2033年。最新幻灯片还披露，该芯片将采用2nm级工艺。按2029年至2030年问世的时间点，再对照三星近期更新的代工路线图，这里说的很可能是车规级SF2A、性能增强版SF2P，甚至是用上背面供电（Backside Power Delivery）技术的SF2Z。还有一点：关于SI6，特斯拉似乎没打算在2030年代用英特尔的14A工艺在“Terafab”工厂生产。
SI6 会继续采用 AI5/SI5/HW5 上已经用过的多芯片模块（MCM）架构。这个选择说得通：第五代推理加速器研发中攒下的经验可以直接复用，封装成本也能压在一个相对合理的区间。眼下不少汽车制造商都在琢磨，在下一代系统级封装（SiP）里上多芯粒（Chiplet）设计加 HBM 内存，可这样一来成本就上去了。特斯拉什么时候把 HBM 装进自己的推理加速器，现在还没有消息，但大概率轮不到 SI6 这一代。
