上海微电子新一代前道光刻机模型进博会亮相，国产化进展到哪一步

11月5日，第九届中国国际进口博览会在国家会展中心（上海）开幕。展会上，上海微电子装备（集团）股份有限公司（简称 SMEE）自主研发的新一代前道干式光刻机通用技术平台模型正式登场，对外展示我国前道光刻装备自主化取得的阶段性成果。

SMEE 于 2002 年成立，是国内唯一能够稳定量产交付前道干式光刻机的厂商，也是我国前道光刻装备自主供给体系的核心支撑主体。

这次展出的模型做了透明剖视处理，整机光学光路与内部机电系统的链路布局一眼可见。该平台是国产标准化的前道光刻装备架构，可适配 I-line、KrF 两条主流技术路线；整机核心部件均实现全链条自主可控，包括高精度物镜与照明系统、高速双工件台与掩模台、一体化自动物料传输系统、高精度对准调平传感系统，工艺适配能力与产线运行可靠性都较为稳定。

从成像性能看，目前国产前道干式光刻机已与国际同类领先产品相当，套刻精度、生产效率也在紧紧追赶国际标杆。多台设备已在境内头部逻辑、存储量产线上长期稳定运转，累计支持产线流片超过千万片，设备有效运行率在 92% 以上。自主技术可控、国产替代落地、产业链安全可靠，这几方面的优势已经形成，可全面支撑

延伸阅读

公开资料显示，SMEE 全称上海微电子装备（集团）股份有限公司，2002 年 3 月成立，位于上海，隶属上海电气集团，注册资本约 2.66 亿元人民币。公司定位为“赋有国家使命的市场化公司”，从“十五”起先后承担多个国家 IC 前道光刻机研制专项任务。

按半导体制造工序划分，光刻设备有前道和后道两类：前道光刻机用于晶圆制造，后道对应封装光刻机，精度和价值都远低于前道设备。文中提到的 I-line 与 KrF 都属于深紫外（DUV）光源，前者波长 365nm，后者 248nm，主要服务成熟制程；此外还有波长 193nm 的 ArF 干式与浸没式方案，浸没式在 DUV 类别中分辨率和处理能力最高。

光刻机产能的提升，关键在于双工件台技术。采用双工作台系统后，两个工作台可以同时运作，一个专注曝光作业，另一个同步做曝光前的预对准准备，速度和加速度都保持稳定，据测算生产效率可提升约 35%。