特斯拉AI加速器路线图更新:SI6算力80倍于HW4,Dojo D3转向多芯粒
IT之家 11 月 8 日消息,特斯拉公布了更新后的 AI 加速器路线图,进一步揭示了公司未来几年的芯片研发方向。根据这份路线图,特斯拉第六代推理加速器的算力预计将达到现有第四代芯片的 80 倍;而用于训练任务的 Dojo D3 将放弃以 SRAM 为核心的架构,转向采用多芯粒设计,并搭载堆叠式 HBM 高带宽内存。
特斯拉公开了修订后的AI加速器路线图,未来几年的芯片研发方向随之清晰。按这份路线图的说法,第六代推理加速器的算力有望达到现有第四代芯片的80倍;训练用的Dojo D3则不再走以SRAM为核心的架构,改为多芯粒设计,并配上堆叠式HBM高带宽内存。

命名上也有动作:特斯拉开始用“超级智能”(Super Intelligence,SI)替代“人工智能”(Artificial Intelligence,AI),旗下AI加速器统一归入SI系列。马斯克近日也确认,出于同样的考虑,SpaceXAI将改名为SpaceXSI。
特斯拉AI加速器路线图
披露信息显示,特斯拉当前芯片产品线与后续规划如下:
|
项目 |
HW3 / AI3 |
SI4 / HW4 |
SI5 / AI5 |
SI6 / AI6 |
Dojo D1 |
Dojo D3 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
用途 |
推理 |
推理 |
推理 |
推理 |
训练 |
训练 |
|
制程工艺 |
三星 14nm |
三星 7nm |
台积电 3nm / 三星 2nm |
2nm 级 |
台积电 7nm |
待定 |
|
架构 |
单片式 |
单片式 |
多芯片模块(MCM) |
多芯片模块(MCM) |
晶圆级系统(SoW) |
多芯粒 |
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封装 |
FCBGA |
FCBGA |
MCM |
MCM |
InFO_SoW(训练计算单元) |
2.5D + 3D |
|
内存类型 |
LPDDR4 |
GDDR6 |
GDDR6 / GDDR7(待定) |
GDDR7(待定) |
片上 SRAM |
堆叠式 HBM |
|
内存容量 |
8GB |
16GB |
96GB |
144GB |
每颗芯片 440MB SRAM;每片晶圆 11GB SRAM |
待定 |
|
内存带宽 |
约 68GB/s |
约 224GB/s |
待定 |
待定 |
片上约 10TB/s |
待定 |
|
相对 SI4 算力 |
— |
1 倍 |
40 倍 |
80 倍 |
— |
— |
|
预计算力(TOPS) |
72 |
216~576 |
8640~23040 |
17280~46080 |
362 TFLOPS |
待定 |
|
预计算力(POPS) |
0.072 |
0.216~0.576 |
8.64~23.04 |
17.28~46.08 |
0.362 PFLOPS |
待定 |
|
当前状态 |
已淘汰 |
量产 |
接近量产 |
研发中 |
已停止 |
研发中 |
Dojo D3:不再采用晶圆级集成?
这份路线图里最引人关注的变化,恐怕是特斯拉把自研Dojo训练加速器项目重新拉了起来。
2025年8月,马斯克曾叫停整个晶圆级Dojo项目;到2026年8月,他又表示SpaceX和xAI的地面及太空数据中心将全部采用英伟达硬件。但第三代Dojo D3与Dojo D1、Dojo D2两代产品会有明显差别。
按特斯拉的描述,下一代Dojo D3是一款基于芯粒(Chiplet)的训练加速器,用上2.5D和3D封装技术,并搭载堆叠式HBM内存。
这和初代Dojo D1的晶圆级系统(System-on-Wafer,SoW)架构相去甚远。D1主要靠分布式片上SRAM,借助晶圆级封装把25颗D1处理器连在一起,合计提供11GB的SRAM。
D3改用HBM,说明特斯拉想把内存容量大幅拉高。现在的AI模型要吃掉大量内存,用来存放模型参数、激活值和中间计算数据。单看容量,SRAM已经撑不起这类需求。
换用HBM,内存容量的扩展会容易不少,代价是延迟、带宽、封装和功耗上要重新做权衡。特斯拉有没有彻底放弃晶圆级集成技术,目前还不清楚。
一种可能是,特斯拉继续用晶圆级封装连接逻辑芯片,再在上面堆叠定制HBM模块。
另一种可能是,特斯拉认定晶圆级集成成本太高,只在SRAM主导的特定架构里才有较高价值。若在采用晶圆级互连的逻辑芯片上再堆HBM,设计复杂度、散热难度和制造难度都会往上走,芯片良率可能被拉低,长期可靠性也会出问题,成本最终被推高。
增加冗余设计、改进制程技术等手段能解决其中大部分问题,可这些措施同样要花钱。如此看来,D3采用传统芯粒架构而非晶圆级封装的可能性更大一些。
D3的具体算力、内存容量、制造工艺和研发时间表,特斯拉都还没有公布。
不过特斯拉表示,Dojo D3会针对“太空、训练和扩展能力”做优化。这意味着它既要拿出足够的计算性能,也得有较强的扩展能力。这也在暗示,D3可能采用更传统的加速器架构,而非晶圆级封装方案。
更受关注的是,D3还会针对太空环境部署做优化。至少部分型号可能要具备抗辐射能力。
SI6:未来几年算力有望达到HW4的80倍
路线图里的另一条重要信息,是特斯拉给出了第六代推理加速器SI6的大致算力水平:算力预计为HW4的80倍,内存容量为HW4的9倍。
具体数值要看HW4的性能怎么衡量。按现有估算,SI6算力可能落在17280~46080 TOPS,即17.28~46.08 POPS。SI6支持哪些数据格式尚不明确,这些数字仍有不确定性,只能当作参考。
拿英伟达Rubin GPU作对比:其推理算力为50 NVFP4 PFLOPS,训练算力为35 NVFP4 PFLOPS,FP8/FP6算力为17.5 PFLOPS。
英伟达Rubin已经开始向客户交付,特斯拉SI6则预计要到2029至2030年才会推出。
特斯拉汽车现用的第四代推理处理器,最初叫HW4,后更名为AI4,最近又改名为SI4。这款芯片由三星代工,采用7nm级制程工艺,封装沿用传统的倒装芯片球栅格阵列(FCBGA),预计搭载16GB GDDR6内存。
相关特斯拉演示文稿据称有一处错误,把该芯片的制程标成了5nm级,实际应为7nm级。
特斯拉把 SI4 当成眼下全自动驾驶(FSD)技术的性能标尺,后面几代芯片的性能都拿它作参照。但这款芯片的绝对算力、内存容量和功耗,官方一直没正式公布,想精确对比并不容易。马斯克说过,HW4 的性能是 HW3 的 3~8 倍;HW3 官方算力为 72 TOPS,照此推算,HW4 大约在 216~576 TOPS 之间。
路线图显示,下一代第五代推理加速器 SI5(也叫 HW5 或 AI5)会用多芯片模块(MCM)设计,不再沿用 HW4 那种传统封装。制造上,这颗芯片分别交给台积电 3nm 和三星 2nm 级制程来做。
特斯拉预计 SI5 算力能到 HW4 的 40 倍。马斯克此前拆解过这个提升:计算能力涨 8 倍,主要靠更先进的制程和更多执行单元;硅片优化再补上 5 倍性能。
按此估算,SI5 算力可能落在 8640~23040 TOPS,具体要看 HW4 的实际算力基准。代价是功耗不低,不同应用场景下可能达到 250W~800W,所以现阶段估算它的真实性能,不确定性仍然很大。
内存方面,SI5 容量预计是上一代的 6 倍,即 96GB。带宽则取决于最终用 GDDR6 还是 GDDR7,可能介于 768GB/s 和 1.536TB/s 之间。
第六代推理加速器 SI6 的目标更激进:算力提到 HW4 的 80 倍,内存容量做到当前一代芯片的 9 倍。按前面的估算,SI6 算力可能达到 17.28~46.08 POPS,内存容量为 144GB。对一款 AI 推理加速器来说,这样的算力和内存规模相当可观。
特斯拉已经和三星晶圆代工部门签了协议,由后者生产第六代推理加速器,合作期限一直持续到 2033 年。
最新路线图显示,SI6 将采用 2nm 级制程工艺。这颗芯片预计 2029 至 2030 年推出,结合三星近期更新的代工路线图,SI6 可能用上汽车级 SF2A、性能增强版 SF2P,甚至是带背面供电技术的 SF2Z。
不过,特斯拉似乎并不打算在 2030 年代用 Terafab 工厂的英特尔 14A 制程来生产 SI6。
封装上,SI6 会延续 AI5/SI5/HW5 引入的多芯片模块(MCM)设计。这个选择说得通:到那时特斯拉已经攒下第五代推理加速器的研发和生产经验,封装成本也能控制在相对合理的范围内。目前不少汽车制造商都在考虑给下一代系统级封装(SiP)上多芯粒设计和 HBM 内存,相关芯片的制造成本也会随之抬高。
特斯拉什么时候会在推理加速器里引入 HBM,眼下还没有明确答案,但 SI6 恐怕还用不上这类内存。