长鑫存储DRAM份额升至10%：韩国存储双雄如何守住利润防线
国产存储芯片厂商长鑫存储与长江存储的快速崛起，正引发韩国半导体产业的深度焦虑。韩国咨询机构三一普华永道近日发布报告，建议三星电子与SK海力士在通用存储芯片领域强化成本竞争力，同时加大HBM（高带宽存储器）等尖端赛道的投入，以守住利润防线。
长鑫存储与长江存储的快速成长，让韩国半导体行业的不安情绪明显加重。韩国咨询机构三一普华永道在近日一份报告中给出建议：三星电子与SK海力士需要在通用存储芯片上把成本竞争力做扎实，同时往HBM（高带宽存储器）等尖端方向多投，利润防线才守得住。份额上的变化已经很直观。Counterpoint Research的数据显示，2026年第二季度长鑫存储拿下全球DRAM营收的10%，去年同期只有4%，等于翻了一倍，全球第四的位置坐稳，排在三星（38%）、SK海力士（25%）和美光（24%）之后。NAND闪存这边，长江存储出货量第一次挤进全球第三，前面只剩三星和SK海力士，营收份额从去年同期的9%升到14%。
SK集团董事长崔泰源此前已公开示警。按他的说法，中国竞争对手或者美光一旦加快扩产，韩国厂商的份额就有下滑风险。崔泰源还质疑美国主导的出口管制能不能真正起作用，并提到长鑫存储与长江存储顶着多年技术限制，技术推进依然是一步一步走过来的。
压力之下，韩国存储巨头打的是“双线作战”。三星正把西安工厂改造成286层V9 NAND产线，SK海力士打算在大连工厂生产240层以上NAND产品，冲着长江存储在成熟NAND市场的攻势去。问题在于，美国对在华半导体设备出口有管制，相关设备导入要逐项申请许可证，升级进程在监管层面仍存不确定性。另一条线上，三一普华永道的报告强调，中国厂商在HBM与先进封装等尖端领域还处在追赶阶段，客户验证和高良率量产仍是核心壁垒，韩国企业必须死守这块利润高地。
竞争还在从通用市场往下一代技术路线上蔓延。长鑫存储已宣布，年底前推出基于4F²架构的服务器DDR5 RDIMM内存。4F²是DRAM存储单元的下一代架构，相比当前行业主流的6F²架构，单位面积存储密度可提升30%至50%。三星与SK海力士的开发路线图里同样有这个架构。这场下一代DRAM架构的竞赛中，谁先实现量产，谁就能在成本优势和市场主动权上占得先机。
把时间拉长看，中国存储厂商正把通用市场赚到的利润持续投进尖端技术研发，韩国存储双雄的利润腹地正承受前所未有的挤压。
