长鑫存储份额翻倍、长江存储跻身前三：韩国存储双雄如何守住利润线？
【TechWeb】国产存储芯片厂商长鑫存储与长江存储的快速崛起，正引发韩国半导体产业的深度焦虑。韩国咨询机构三一普华永道近日发布报告，建议三星电子与SK海力士在通用存储芯片领域强化成本竞争力，同时加大HBM（高带宽存储器）等尖端赛道的投入，以守住利润防线。市场份额的变化已经十分直观。据Counterpoint Rese
长鑫存储、长江存储两家中国存储芯片厂商跑得越来越快，韩国半导体行业因此感到的压力也在加深。韩国咨询机构三一普华永道近日发布一份报告，给出的建议是：三星电子与SK海力士要在通用存储芯片上把成本竞争力做扎实，同时往HBM（高带宽存储器）这类尖端赛道多投钱，把利润线守住。市场份额的变化已经很直观。Counterpoint Research的数据显示，2026年第二季度，长鑫存储在全球DRAM营收中拿到10%的份额，去年同期只有4%，一年翻倍，排在全球第四，仅次于
SK集团董事长崔泰源此前已经公开提醒过这一点。他说，一旦中国竞争对手或者美光加快扩产，韩国厂商的份额就有下滑风险。崔泰源还对美国主导的出口管制能否真正见效提出疑问，并提到长鑫存储与长江存储顶着多年的技术限制，技术推进仍然一步步走稳了。
韩国存储巨头的应对是两条线同时走。三星正在把西安工厂改造成286层V9 NAND产线，SK海力士则打算在大连工厂生产240层以上的NAND产品，为的是接住长江存储在成熟NAND市场上的冲击。问题是，美国对在华半导体设备出口有管制，设备要进来得一项一项申请许可证，升级能不能顺利推进，监管上还有不确定性。
另一条线落在尖端领域。三一普华永道的报告指出，中国厂商在HBM、先进封装这些方向上还处在追赶阶段，客户验证和高良率量产仍是绕不过去的门槛，韩国企业必须把这块利润高地死死守住。
竞争还在往下一代技术路线上蔓延。长鑫存储已经宣布，年底前会推出基于4F²架构的服务器DDR5 RDIMM内存。4F²是DRAM存储单元的下一代架构，跟眼下行业主流的6F²架构比，单位面积存储密度能提高30%至50%。三星与SK海力士的开发路线图里同样有这一架构。谁先实现量产，谁就能在成本和市场主动权上抢先一步。
把时间拉长看，中国存储厂商正把通用市场上赚到的利润不断投进尖端技术研发，韩国存储双雄的利润腹地正承受前所未有的挤压。
