长鑫科技服务器DRAM将用4F²技术，韩媒称中韩差距缩小
10月14日，据财闻海外资讯，长鑫科技（688825.SH）预告将在服务器DRAM上应用4F²技术。该技术属3D架构，通过垂直堆叠晶体管，将存储单元面积较6F²缩减33%。业界视其为DRAM转向3D架构的重要跳板，担忧中韩技术差距缩小，受此影响，三星电子、SK海力士股价大跌。三星与SK海力士早研4F²，但因良率提升风险
10月14日，据财闻海外资讯消息，长鑫科技（688825.SH）预告将在服务器DRAM上应用4F²技术。这一技术属于3D架构，依靠垂直堆叠把6F²缩减33%。业界把它看作DRAM向3D架构过渡的重要跳板，并担心两国技术差距收窄，受此影响，
三星与SK海力士更早着手研发4F²，问题在于良率提升风险大、生产成本也高，所以没有量产。CXMT尚未公布产品规格和上市时间，不过AI需求扩张推高了存储芯片价格，盈利环境有了保障，正好顺势追赶。韩国半导体产业协会常务安基铉则强调，中国已经追到肉眼可见的位置，韩国必须正视第二名在身后追赶，加快研发，他建议对研发人才豁免每周52小时的工时限制。
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