碳化硅赛道洗牌：LX Semicon卖专利，英飞凌、Wolfspeed扩8英寸

碳化硅（SiC）这个当年被资本追着跑的赛道，眼下正经历又一轮出清。

韩国媒体《The Elec》近日曝出，LX Semicon正把60多项SiC专利打包出售，涵盖平面栅、沟槽栅MOSFET以及外延晶圆等技术，整套专利组合估价不到10亿韩元。这家韩国半导体企业前后投入约五年的SiC布局，到此基本收尾。

其他企业也有类似遭遇。SK集团旗下的SK Siltron在今年7月关掉了位于美国密歇根州的SiC衬底制造业务；国内这边，杭州泰昕微电子4月被法院裁定受理破产清算，深圳腾睿微电子则因债务问题走入了破产司法程序。

还有一批公司选择主动踩刹车。露笑科技7月宣布终止两项SiC募投项目；美国Microchip早先暂停的SiC扩产计划，在2026财年继续搁置。

不过，就在一些企业退出或收缩的同时，行业另一头却不断传出大额合作的消息。

10月15日，英飞凌与Wolfspeed宣布扩大长期供应协议，合作范围从150mm SiC晶圆延伸到200mm（8英寸）晶圆。才过两周，10月28日，Wolfspeed又与全球汽车零部件巨头博格华纳签下多年期SiC器件供应协议，为后者下一代800V逆变器平台提供第五代1200V SiC器件。

一边是企业退出、项目叫停，另一边是头部厂商继续推进8英寸制造，并接连锁定长期客户。曾被看作第三代半导体明星赛道的SiC，到底出了什么状况？新能源汽车市场的增长和竞争格局变了之后，为什么有的企业已经撑不住业务，有的却还在扩大制造能力？

回过头看这几年，SiC曾是半导体行业最受追捧的投资方向之一。

跟传统硅基功率器件比，SiC的临界击穿电场更高、热导率更高，在高压功率转换场景里开关损耗也低。新能源汽车800V高压平台起来之后，SiC MOSFET慢慢成了汽车主驱逆变器的重要技术选项，衬底、外延、芯片制造、功率模块等环节也跟着掀起投资热。

在这种形势下，英飞凌、意法半导体、Wolfspeed等传统功率半导体企业继续扩产，不少原本不专攻SiC的公司也通过收购、合作、自建产线挤进了这个市场。

LX Semicon便是其中一家。

2021年，LX Semicon靠收购LG Innotek的SiC制造设备与相关专利，正式切入功率半导体赛道；这家公司的主营业务原本是显示驱动芯片。

当时它的收入高度集中在显示驱动芯片上，公司想抓住新能源汽车快速放量的窗口，养出新的收入来源。五年过去，这场多元化并没有拿到想要的结果。

2023年底新首席执行官到任，LX Semicon开始重新盘算非核心业务的投入产出。2024年公司裁减SiC研发团队，之后陆续清理相关业务和投资，到2026年决定把剩余专利卖掉。

走到这一步，既有SiC市场大环境的变化，也有企业自身的财务压力。2022年至2025年，LX Semicon营业收入从2.1193万亿韩元降至1.6391万亿韩元，连续三年下滑；2026年上半年营业利润同比下降39%，而显示驱动芯片业务仍占公司收入的绝大部分。

SK Siltron走的也是同一条路——想借自身半导体制造底子，在SiC市场找到新的增长点。

2019年，SK Siltron以约4.5亿美元买下杜邦旗下的SiC晶圆业务，随后在美國密歇根州扩产，2021年又宣布投3亿美元扩大当地制造能力。可到了2026年7月16日，公司宣布逐步结束美国子公司SK Siltron CSS的运营，关掉密歇根州的生产设施，约140名员工受到影响。

公司的说法是，当初扩产是为了跟上电动汽车市场不断增长的需求，但此后市场环境明显变了，相关业务因此持续承压。

两家韩国企业接连收缩，让人不得不问：韩国在DRAM、NAND、OLED以及消费电子产业链上都有很强的制造和研发能力，为什么部分企业到了SiC功率半导体领域，就建不起同样的优势？

答案可能藏在SiC和存储芯片不同的商业竞争逻辑里。

DRAM和NAND是高度标准化、靠资本堆出来的产品，工艺研发、制造规模加上资本投入，就能形成很强的竞争优势。SiC功率器件同样需要先进的材料和制造技术，但它更看重可靠性验证、功率模块设计，以及汽车和工业客户的长期导入。

汽车领域尤其如此。一款SiC MOSFET就算导通电阻和开关性能都很出色，也得过栅氧化层可靠性、短路耐受能力、高温运行、封装热循环等一道道测试，才能真正进入量产供应链。

对后来者来说，掌握器件设计和制造技术，不过是迈过第一道门槛。能不能通过客户认证、拿到稳定订单，再靠持续出货摊薄研发与制造成本，才是更现实的考验。

国内企业同样撞上了这道坎。今年4月，法院裁定受理杭州泰昕微电子的破产清算申请；深圳腾睿微电子也走入了破产司法程序。这两家公司此前都涉足功率半导体及相关技术布局，不过它们眼下的经营难题，并不能全算在SiC市场头上。

另一边，不少中小企业察觉到，当初照着新能源汽车一路高增长做出的投资安排，正撞上远比预想复杂的局面。

TrendForce的数据显示，2024年全球N型SiC衬底市场营收掉到10.4亿美元，同比下滑9%。收入在降，扩产却没停，价格和供需两端的压力就这样压到了企业经营上。对已经跑出规模化制造能力、手里攥着稳定汽车客户的企业来说，这或许正是靠降本再抢一块市场份额的窗口；可对资金吃紧、订单不够、还卡在研发和验证阶段的企业，这直接关系到能不能活下去。

快速扩张过后，SiC产业回过头来，把每家企业的技术、成本、客户和资金实力又掂量了一遍。

企业退出，映出的是SiC行业的竞争压力；近期接连落地的8英寸合作协议，则透出这场竞争的另一重变化。

10月15日，英飞凌与Wolfspeed宣布扩展并延长SiC晶圆长期供应协议，在原有150mm晶圆之外新增200mm产品。两家公司在SiC材料供应上已合作超过20年。这次协议把方向进一步推向8英寸晶圆，说明头部功率器件厂商仍在为下一阶段的制造技术提前锁定上游资源。

10月28日，Wolfspeed又和汽车零部件巨头博格华纳签下多年期SiC器件供应协议，计划为其下一代800V逆变器平台供应第五代1200V SiC器件。Wolfspeed还特别提到，其美国制造能力已全面转向200mm晶圆，可以给博格华纳提供长期、稳定的汽车级器件供应。

两家的合作其实早有渊源。2022年11月，博格华纳宣布向Wolfspeed投资5亿美元，换取SiC器件产能供应保障。按当时协议，博格华纳有权根据业务需要，每年采购最高6.5亿美元的器件。

四年之后双方再签长期协议，合作延伸到下一代800V逆变器平台。经历了此前的破产重组，Wolfspeed与核心汽车客户的长期合作仍在延续，它的8英寸制造能力，正成为客户衡量供应稳定性的重要因素之一。

2025年6月，因债务和财务压力，Wolfspeed申请美国《破产法》第11章保护，同年9月完成重组，债务规模大幅削减。财务重组并没有让公司掉头，8英寸SiC制造仍是它要走的路。完成重组后，Wolfspeed继续推进大尺寸衬底与功率器件技术，并通过长期协议稳住汽车和工业客户基础。

问题也就来了：SiC行业还在消化产能，头部企业为什么仍要往前推8英寸制造？

说到底，SiC 行业的较量重心变了。过去拼的是技术突破和产能扩张，现在比的是单位制造成本和规模化交付能力。

理论账好算：200mm 晶圆的面积比 150mm 晶圆多出约 78%。在芯片面积相同、生产条件理想的前提下，大晶圆能切出更多裸片，单片成本随之被摊薄。

可8英寸并不自动带来低价。晶圆卖得贵、器件制造良率上不去，或者产线利用率达不到预期，就算一片晶圆能出更多裸片，最终合格芯片的单位成本也未必降得下来。况且从6英寸切到8英寸，本身就要砸下大量资本：晶体生长、衬底加工、晶圆制造能力都得升级，工艺参数要重新调，客户对新产品的长期可靠性验证也得从头走一遍。

一旦市场需求撑不起产线运转，先进制造能力反倒会变成沉重的财务包袱。Wolfspeed此前遭遇的财务危机，就是这一风险的现实提醒。

中国市场上，同样的分化已经出现。

今年7月，露笑科技宣布终止“第三代功率半导体（碳化硅）产业园项目”和“大尺寸碳化硅衬底片研发中心项目”，打算把约12.17亿元剩余募集资金永久补充流动资金。公司在公告里的说法是，近几年6英寸SiC衬底市场供给相对过剩、竞争加剧，继续往相关项目里投钱会推高固定成本和投资风险。不过露笑科技并没有离开SiC，反而表示未来仍将重点推进8英寸和12英寸衬底业务。

对照来看，天岳先进在2026年第三季度实现营业收入6.46亿元，同比增长102.89%，季度毛利率达到27.46%，8英寸SiC衬底收入占比超过50%。这一变化说明，部分已经具备大尺寸晶圆交付能力的企业，正靠产品结构升级拿到新的收入增长。

当然，8英寸收入占比抬高，并不能单独证明其成本优势已经全部兑现，还得结合实际良率、晶圆售价和生产线折旧来判断。

但把露笑科技、天岳先进以及Wolfspeed的最新进展摆在一起看，SiC市场的分层正变得越来越明显。

以前，谁先突破SiC材料和器件技术、谁能更快把产能扩上去，往往更容易被市场关注。现在，左右企业竞争力的因素多起来了：光能造8英寸晶圆不够，还得把制造成本稳稳控住，拿到汽车级长期订单，并靠持续出货消化掉庞大的固定资产投资。

8英寸制造或许会成为压低SiC价格的关键推手，也可能把新进入者在资金、技术和客户上的门槛再抬高一层。真正能从8英寸时代受益的，未必是扩产规模最大的企业，而是能把制造能力转成稳定订单和持续盈利的企业。

SiC产业正经历新一轮洗牌，与此同时，另一重变化也在浮现——企业开始设法摆脱对新能源汽车这一单一需求的依赖，转而寻找更多元的增长机会。

2026年最受关注的新兴方向之一，是AI数据中心。AI服务器与机架的功率密度持续走高，数据中心供电系统随之面对更大的电流、更复杂的散热难题和更严的能效要求。尤其当下一代AI基础设施朝800V高压直流配电架构演进时，从电网接入、交直流转换到电池备份，多个环节的电力电子系统都得重新优化。SiC在高压、大功率、高效率电能转换上的长处，让它成为部分新型供电架构的重要候选技术。

9月29日，英飞凌宣布与伊顿合作，由前者为后者面向800V直流数据中心架构的中压固态变压器平台供应SiC功率器件。双方还计划进一步探索采用2.3kV和3.3kV SiC模块的下一代产品。

固态变压器这个方向值得重点关注。传统供电方式依靠工频变压器和多级电力转换设备，固态变压器则不同，它能借高频功率器件实现更灵活的电压转换与能量管理，在特定场景下有机会减少转换级数、提升功率密度。到了较高电压等级，SiC器件的耐压和开关性能相对占优，因而成为固态变压器设计里的重要技术选择。

Wolfspeed同样在积极切入这一市场。今年8月，该公司宣布与光宝科技合作，开发面向超大规模AI数据中心部署的800V直流电源解决方案。更早之前，Wolfspeed还推出3.3kV SiC功率模块，并设立专门的数据中心解决方案团队，以拓展AI基础设施应用。

不过，AI数据中心并不等于SiC能拿下整个电源市场。

不同供电环节对器件耐压、开关频率、功率密度和成本的要求各不相同。在中高压固态变压器、大功率转换及部分储能备份系统中，SiC的技术竞争力较强；但到了部分高频中间母线转换和低压DC/DC环节，GaN和硅基功率器件同样优势明显。

2026年10月，英飞凌还与英伟达进一步推进基于GaN的800V数据中心电源转换技术。这也就意味着，未来的数据中心供电系统很可能走向多种半导体材料协同的架构。

所以，AI数据中心给SiC带来的需求，不能简单按数据中心整体电力设备投资规模来推算。真正决定市场空间的，是哪些供电环节采用SiC、单位系统的器件价值量、技术导入速度，以及新型供电架构的实际部署规模。与此同时，从参考设计到客户认证再到大规模商用，固态变压器等新技术仍需经历一定周期，短期内未必能迅速补上汽车市场波动留下的需求缺口。

但把眼光放长，AI数据中心的意义在于，它为SiC提供了一个不同于新能源汽车的应用增长来源。

光伏储能、电网基础设施、工业电源、轨道交通以及AI数据中心等市场继续发展，SiC有望逐步形成更加多元的需求结构。往后SiC行业的增长，将不再只押注一个快速扩张的终端市场，还得靠制造成本持续下降，一点点打开更多对效率和功率密度敏感的应用场景。

对碳化硅行业来说，新能源汽车依旧是最主要的需求来源，AI数据中心这类新场景有机会把市场边界往外推。可说到底，价格竞争加剧之后还能不能持续赚钱，才是决定产业格局的那一环。8英寸制造加快铺开，技术门槛并没有就此消失，它跟规模、成本、客户门槛摞在了一起。接下来的较量，也许不是比谁先攻下新技术，而是比谁在价格下行、投资回报周期被拉长之后，还能稳定生产、按时交付，最后真正赚到钱。

这场淘汰赛，才刚走到更关键的段落。