长鑫科技：第六代工艺平台DRAM工程样片验证完成，LPDDR6已量产
IT之家 10 月 31 日消息，10 月 30 日，长鑫科技在第三季度业绩交流会中透露，报告期内，公司第五代工艺技术平台实现量产；在 4F² 垂直沟道 DRAM 架构取得关键突破的基础之上，第六代工艺技术平台已完成工程样片的验证；LPDDR6 产品实现量产。 公告提到，第五代工艺技术平台是长鑫目前量产的最先进平台，目
长鑫科技在10月30日举行的第三季度业绩交流会上介绍，报告期内公司第五代工艺技术平台进入量产阶段；在4F²垂直沟道DRAM架构取得关键突破的基础上，第六代工艺技术平台完成了工程样片验证；LPDDR6产品也已实现量产。消息于10月31日传出。
按公告说法，第五代工艺技术平台是长鑫当前量产的最先进平台，已推出的产品以245Ball和496Ball封装的LPDDR5X为主。公司后续会依托这一平台逐步升级现有产品线，DDR5、LPDDR6等都在其中，目的是持续提高产品性能、丰富产品组合。同时，基于4F²垂直沟道DRAM架构的关键突破，第六代工艺技术平台已经完成工程样片验证。
公告显示，第五代工艺技术平台每片晶圆产出的裸片数量比第四代平台提升至少50%，在能效和成本控制上都优势明显。这得益于该平台在关键工艺维度拿下多项行业领先的技术突破，功耗进一步下降、接口速度得到提升，为LPDDR6未来大规模量产和商业化应用提供了技术平台支撑。公司基于第六代工艺平台开发的4F²架构，则以更紧凑的布局明显缩小存储单元面积、提高单位面积存储密度，为后续工艺技术平台迭代打下基础。
4F²架构是长鑫面向下一代前瞻技术的重要布局。时间安排上，公司预计今年年底将采用4F²架构的首代DDR5 RDIMM产品送样；应用方向上，会优先落地服务器这类高附加值、对密度要求高的产品，之后再逐步向其他品类延伸。规模量产将视客户验证进度和市场需求情况稳步推进。
长鑫科技表示，4F²架构通过逻辑晶圆与存储晶圆键合堆叠的方式实现，产品定义上有更大的灵活度。公司自研的VSG（垂直环绕栅极）晶体管采用垂直包围沟道结构，为后续节点继续微缩打通了道路。
