基辛格谈HBM短板：位密度低、功耗散热压力大

10月15日，据Wccftech报道，前英特尔首席执行官帕特・基辛格在接受媒体专访时谈到了高带宽内存HBM技术。他直言，这一内存方案在位密度、功耗和散热等方面存在现实的技术短板。

在基辛格看来，HBM是现阶段行业能够落地使用的较优方案，但缺陷同样不容忽视。他提到，HBM位密度偏低，数据又集中布局，功耗与散热压力因此较为突出。对于人工智能这类计算与内存高度耦合的业务场景，该架构的局限就暴露得比较明显。

散热方面的压力与总线宽度有关。据了解，HBM3/3E的总线宽度为1024位，HBM4又提升到2048位，产品运行需要大量并行连接以及微凸点结构。

位密度的问题则出在堆叠内部。HBM堆叠中的DRAM裸片依靠大量硅通孔完成互联，这种设计压缩了单颗裸片存储单元的容纳空间，单颗DRAM裸片的位密度因此不足。不过从整个堆叠来看，单位面积仍能实现更高的累计存储密度。