HBF芯片堆叠路线现分歧：闪迪与铠侠各走各路？

多芯片堆叠在HBF里是芯片级完成的。芯片这时候已经从3D-NAND晶圆上切下来，3D-NAND本身也是分层的结构。合格芯片要垂直叠起来（第一版HBF规范里常见8层或16层），靠TSV和微凸块连成一体。这意味着芯片的制造设计从开头就得方便加TSV和微凸块。

按我们了解的情况，标准NAND芯片及其晶圆，一般不能直接拿去做HBF结构。

TSV要垂直穿过整颗芯片。为此得在芯片布局中留出禁入区域，多出蚀刻、填充等工艺步骤，还要额外占用芯片面积。传统SSD封装用的标准3D NAND芯片，既没有这类结构，也没有预留空间。

堆叠时，位置偏下的芯片得经由TSV连到底层逻辑芯片和中介层。标准芯片没有这些通路。

HBF芯片的内部架构往往偏向更高的并行度——更多独立的平面和子阵列，用并发读取来达到目标带宽。

我们的意思是，闪迪自己没有独立晶圆厂，眼下只能从与铠侠的合资企业拿到晶圆厂资源。所以它可能要找能生产HBF NAND晶圆的厂。在我们看来，这家合资企业不会专门为闪迪生产HBF NAND晶圆。

2026年2月，闪迪和SK海力士组建了HBF规范标准化联盟，并在开放计算项目（OCP）下设立了专门工作组。两家是首个开放技术规范的主要贡献者。该规范覆盖NAND闪存芯片堆叠（8层/16层，最高512GB）、带宽等级（约0.4–3.0 TB/s）、UCIe互连、封装、可靠性以及软件指南。2026年8月初，规范经OCP发布。

之后，谷歌和Tenstorrent也先后加入了这个联盟。

HBF的倡导者、

10月，Sandisk 方面称：“HBF 在第一季度迎来里程碑式进展，首款 HBF 存储芯片已经流片完成；我们基于 HBF 的首批产品样品，仍会按原计划在明年推出。”

另一边，铠侠还没有加入HBF联盟。它自己对闪存和固态硬盘架构的设想包括：

铠侠的GP系列定位为Optane级SSD，搭载第三代XL-FLASH，512字节随机读取性能突破2000万IOPS。

面向数据中心，该公司还准备了液冷NX1系列E1.S NVMe SSD，以及液冷版PCIe 5代CM9数据中心SSD。

日本《日经新闻》报道称，铠侠打算拿高速NAND闪存顶替DRAM。做法是借助CXL（Compute Express Link）模块，经由PCIe链路完成高速内存访问。高速NAND闪存配上CXL控制器模块后，数据读取延迟能压到传统NAND产品的十分之一以下。

按照计划，2025年8月将发布一款大容量高带宽闪存模块原型，容量最高5 TB，带宽64 GB/s。它面向边缘服务器，不用于数据中心GPU服务器。连接方式为菊花链式，用的是所谓“闪存珠”，并非堆叠式结构；同时搭载高速收发器技术，带宽可达128 Gbps，还集成了多项提升闪存性能的技术。SK海力士和闪迪HBF等产品走并行信号，这款模块则采用差分串行信号传输。