FCC限制阴影下，光芯片国产替代走到哪一步？

当AI算力基建的热潮把光通信推到风口，光芯片被当成下一个千亿级市场。它是光电转换的核心部件。速率从10G走到800G，再到1.6T、3.2T，每迭代一次，光芯片的价值量和市场空间就被抬高一次。

冷板凳坐了很多年，国内光芯片产业界现在也在摩拳擦掌，把它看作半导体之后又一个国产替代的主战场。

偏偏在一二级融资潮冲到最高点的时候，一盆冷水泼了下来。FCC对光互联产业链的限制阴影迟迟不散，管制风险正从终端模块往上游芯片蔓延。光芯片自身的制造壁垒、产能瓶颈、良率爬坡难度也摆在那里，明显比市场此前想的要难。

01 曾经的完美逻辑：光芯片为何被视作黄金赛道？

一、光芯片前景一片光明

光，是AI基建里通胀属性最明显、确定性最高的板块，没有之一。

大模型训练和推理，都离不开集群内GPU之间频繁、大规模的数据交换，互连瓶颈因此更加突出。别的赛道技术怎么变，光都是受益的一方。这个判断在今年二季度被浓缩成一句话——站在光里、相信光。

从产业逻辑上看，这句话没毛病。

有个数据被反复引用：计算能力每两年涨约3倍，内存带宽约1.6倍，互连带宽只有约1.4倍，这就是著名的“I/O墙”。多颗GPU一起干活时，传输成了瓶颈，数据搬运效率直接卡住算力的释放。

光互联带宽高、时延低、功耗低，成了突破I/O墙的核心方案，也就是常说的“光进铜退”。光芯片负责光电信号的相互转换，是光通信产业链最上游的核心半导体元器件，光模块的传输速率、功耗、集成度与可靠性，都由它直接决定。

图：I/O墙问题示意图资料来源：东吴证券

AI对光模块的需求涨得快、技术迭代也快，光芯片已经成了整条产业链的产能瓶颈，价值量也最集中在这里。

拆开BOM看，光芯片占光模块成本30%以上；速率往800G/1.6T/3.2T迭代，这个占比还有望升到60%。高端光芯片毛利率能到50%–90%，比光模块组装环节高出一大截。

全球激光器芯片市场同样在爆发，规模将从2024年的26亿美元涨到2030年的229亿美元，年复合增长率44.1%。再把调制器、探测器等全品类光芯片算进来，整体市场空间还要更大。

也正因如此，美股也好，A股也好，估值最高的都是光上游。

图：全球光芯片市场规模 资料来源：源杰科技港股招股书

二、FCC阴影之下，对光芯片的估值冲击最大

光芯片行业本身的通胀逻辑就够好，国内企业还多了一层国产替代的指望。全球光上游出现史诗级缺货，给众多国产厂商打开了导入的历史性窗口。

在美国FCC（外国直接产品规则）的阴影里，潜在冲击最大的恰恰是光芯片，未来的想象空间一下子被压扁了不少。这一点，从BOM拆分和国内产业链现状就能看明白。

电芯片的核心是DSP和部分模拟芯片，成本占比很高，可国内企业本来也做不了，所以对国内产业公司基本没什么影响。

成本占比排下来，接着就是光芯片，然后是光器件。光芯片占光模块成本30%以上，随着速率向800G/1.6T/3.2T迭代，未来占比还会往上走。

图：光模块产业价值量拆分示意 资料来源：国盛证券

下面简单分析一下国内光产业链的竞争力：

光模块这个组装环节不用多说，中国企业全球份额最高、竞争力最强，短时间内很难被踢出中国供应链；

光器件排第二，虽然不如光模块显眼，但不少公司是海外康宁、Fabrinet的供应商，实力并不弱；

再就是本文关注的光芯片，国产化程度非常低，是亟待突破的领域，此前突破进展较快；

电芯片如DSP，国内基本处于放弃状态，关注度也很低。

资料来源：中航证券

02 制造真相：光芯片的难点与外界想象不同

一、光芯片与SiC更相似，而非电芯片

不少人一看名字，就把光芯片当成“电芯片的光学版”，觉得沿着半导体那条路走，突破只是时间问题。

可实际上，光芯片的制造逻辑跟电芯片差得很远。它属于典型的“工艺驱动、良率为王、重资产、长周期”产业。说到底，光芯片不是电芯片的缩小版，而是一条精密制造的另类赛道。

按功能分，光芯片有有源和无源两类。其中高速有源光芯片壁垒最高，也是眼下国产化最疼的地方。电芯片都在硅上做，光芯片对材料的要求不一样，所以行业里也常按材料体系来划分。

图：有源光芯片分类

电芯片拼的是制程尺寸不断缩小，光芯片提升性能却不完全靠这个。它更看重外延结构的设计与生长，这一点跟碳化硅（SiC）有几分相似，材料和工艺的分量非常重。

生产要过衬底制造、外延生长、晶圆器件制造、耦合封装四道环节。整条流程比起电芯片并不算长，但外延和光栅工艺要做到纳米级精度，工艺窗口极窄，良率想往上提非常难。

产业模式也因此不同：光芯片厂商大多走IDM模式，设计、制造、封测全流程都自己覆盖。IDM意味着进入门槛更高——前期资本开支大，产线要打通设计到封测，还得有稳定的量产和良率控制能力。当年需求有限，这个行业的玩家也就很少。

图：光芯片制作流程 资料来源：云岭光电

这样的技术特点，让整个行业显出三个鲜明特征：

一是技术密集和资本密集叠在一起。一条完整的InP材料光芯片产线，投资可达数十亿元，核心设备还要靠进口，交付周期很长；

二是规模效应来自良率，不是产量。同一条产线，良率从30%提到60%，成本就能降一半；

三是客户认证周期长约2年，要走完内部测试、模组厂商验证、终端客户认证再到量产落地整个流程。客户粘性极强，新厂商想挤进供应链非常难。

二、核心产品落在EML和CW激光器

眼下高速光芯片的核心产品是EML和CW激光器，光芯片未来的主要市场也集中在这两类上。

图：全球光芯片按照技术路线分 资料来源：源杰科技港股招股书

EML芯片称得上是高端制造里的珠穆朗玛峰。它要把DFB激光器与EAM调制器单片集成在同一块磷化铟（InP）芯片上，工艺复杂度明显高过CW激光器，掩膜步骤超过标准CW的两倍，高速产品良率可能从50%掉到15%。

200G EML的工艺复杂度大约是100G的2.5-3倍，部分口径下晶圆级良率甚至只有10%-20%。

全球100G以上EML产能目前集中在Lumentum、Broadcom、Coherent、住友电工四家手里，光Lumentum一家就占50-60%的份额。海外100G EML良率约75-85%，国内只有海外的一半，200G EML良率仅40-50%，多数厂商还在小批量和验证阶段。

把EML拆开来看，更能明白光芯片难在哪儿：

头一道关卡是材料。InP衬底是EML的关键基底，据测算2026年全球磷化铟衬底有效产能仅75万片，缺口超过70%，全球高端产能由住友与AXT合计控制70%-80%。

就算拿到少量磷化铟衬底做试生产，设备这关也绕不过去。尤其是关键设备MOCV全球范围内，能供应这类设备的只有德国的Aixtron和美国的Veeco两家。下单到量产，中间要等18-24个月；如果新建一条InP产线，整个周期拉长到2-3年。光栅工艺所依赖的高端电子束光刻设备，交货期通常也在一年以上，供应同样集中在少数海外厂商手里。

最后是黑箱般的工艺约束。外延生长对组分与层厚控制极为严苛，稍有偏差就会性能劣化、晶圆报废。良率爬坡没有捷径，只能靠一次次试错攒工艺Know-How，这个过程往往要数年。

EML壁垒高、格局好，盈利能力突出，所以海外龙头厂商现在把有限精力更多投在EML芯片上。

还有一类产品增速更快，那就是CW激光器。它能和硅光芯片配合得很好，眼下主流的800G、1.6T硅光方案配的就是70mW/100mW CW激光器。跟EML比，它的工艺链条更短，良率也更容易调优，所以国内厂商主要往这个方向使劲。

CW激光器的国产化眼下进展稍好一些，格局已经分出层次：70mW低功率产品出货量大、相对成熟，入场的玩家增加得最快；100mW产品目前仍然偏紧，2027年之前缺口可能一直存在；150mW以上的高功率产品面向NPO/CPO、OCS场景，技术门槛明显更高，良率更低，能做的合格厂家也更少。

除了技术本身，客户认证这道看不见的门槛同样难迈。光芯片是典型的ToB生意，北美云厂商挑供应商极为严格，供应格局一旦定下来，后来者很难挤进去。也就是说，国内厂商就算技术过关，短期内也很难进入北美主流供应链。

03 解读美国限制政策背后的产业含义

把光芯片的技术特点弄清楚之后，才有可能从产业逻辑上读懂美国FCC限制政策的真实意图。

这道限制像一把剑悬在国产光芯片产业链头上，但它的影响不是一刀切式的短期断崖冲击，而是分阶段、分领域地逐步挤压。它最终想达成的结果是：把国产替代的窗口期压到极限，同时让美国厂商借这个过程把制造能力提上去。

一、首先是给美国企业扩产争取时间

短期看，政策对产业的实质影响很有限。中际旭创、新易盛这些头部模块厂商并没有被列入限制清单，未来1–2年的供应不受影响。限制更可能从3.2T代际开始分阶段落地，产业因此有了2–3年的结构调整窗口。

原因在于，中国厂商占全球光模块800G/1.6T出货比重接近70%。北美供应链短期内做不到“无痛替换”，所以限制措施大概率不会伤到自己。

真正的长期冲击在上游器件。如果按大摩报告估算的模式执行，也就是光模块系统中“约 65% 美系 BOM 价值占比”才能拿到合规豁免，那中国光芯片和器件的导入空间会被大幅压缩，原本就难进的北美供应链门槛会进一步抬高。

把政策节奏和海外厂商的扩产进度放在一起对照，意图就很清楚了：为美国光芯片企业的产能扩张争取时间窗口。

眼下Coherent正把德州舍曼厂升级为全球首个规模化6英寸InP平台，官方指引未来晶圆产能暴增4倍，并深度绑定英伟达供应链；Lumentum收购的格林斯伯勒新厂也在改造成6英寸InP基地，预计2028年年中全面放量，用来量产大功率EML与CW光源。

两家巨头新产能落地的时间，和3.2T大规模放量的节点高度重合，政策限制恰好给它们腾出了市场缓冲期。

资料来源：中信证券

二、中国供应链正在关键的替代期

高端光芯片的国产化，2026年才算元年。国内厂商此前摸出的突破路径相对清晰：先攻CW光源（结合硅光），再逐步突破100G/200G EML。

前面说过，CW光源工艺链条更短，量产良率更好调，和国内庞大的光模块产业协同性也强。目前国内厂商在70mW、100mW CW激光器上已经大规模量产，部分产品进了头部模块厂商的供应链，增长势头很猛，源杰科技近几个季度的财报就是例证。

EML就难得多，高端市场集中度也高。2025年全球激光器芯片市场里，前五家海外企业合计占了约64.8%的份额，国产厂商中排名最高的源杰科技市占率只有3.1%，而且主要集中在中低端产品。

长光华芯的100G EML有量产信息，东山精密旗下索尔思光电的100G也已进入规模化量产，200G EML还停留在送样阶段，其全球光芯片市占率在4%出头。

资料来源：中信证券

整体看，国内厂商在中低端已经站稳脚跟，CW领域也实现了突破。但高端EML、高功率CW这些方向，和海外龙头还有1-2代的技术差距，客户认证、量产良率上的短板依然明显。

让人着急的是，因为FCC限制，2026-2028年成了国产替代宝贵又短暂的机会窗口。

另一边，海外头部厂商受EML产能限制，普遍按“200G EML→100G EML→CW激光器”的优先级分配产能，先保毛利更高的EML。也就是说，2026-2028年间CW激光器市场还没形成海外强强联合的垄断格局，这给国内厂商留出了难得的市场空隙。

图：全球（2025）用于400G及以上光互联产品的光芯片份额 资料来源：东兴证券

04 结语

一、SiC的前车之鉴

光芯片的产业制造逻辑和电芯片不一样，反倒更像SiC，前面已经提过。要谈它的将来，SiC这段旧事就绕不过去。

五年前，SiC还被看成半导体里的下一个黄金赛道。谁想到两年光景，供不应求就翻成了全面过剩，价格一路塌下来：近两年6英寸衬底跌了64.5%，8英寸跌了79%。龙头Wolfspeed激进扩产，产能利用率又低，需求还没跟上预期，最后进了破产重整。

当年SiC在设备端（长晶炉）和工艺端，同样被认定瓶颈重重。技术外溢之后，设备这道坎松了，企业又猛扩产，产能集中放出来，稀缺转眼就变成过剩。

短期看，光芯片还是极度紧缺的。可到了2028年，行业会先由全面缺货转向结构分化：低端过剩，高端照旧紧。EML比CW更容易出现阶段性过剩，100G EML尤其如此，它同时顶着代际升级和硅光替代两重压力。CW激光器这边，国内企业密集涌入，中低端也有过剩的风险。

国内光芯片厂商数量不少，规模普遍偏小，技术资源也散。不少地方为了招商引资，纷纷上马光芯片项目，低水平重复建设并不少见。行业资源要是都扎堆在技术门槛偏低的70mW、100mW CW和中低端EML上，产能过剩、价格内卷很快就会来。

反倒是真正要长期投入的高端EML、高功率CW、InP衬底、核心设备这些环节，肯沉下心去突破的人不多。

长期的风险，还是前面反复说到的那条：海外市场不对中国芯片企业开放。这样一来，国内厂商技术迭代就缺了下游大客户的验证反馈，也缺规模效应，芯片不容易做出来。就算想尽办法把高端芯片做出来了，没有主流客户批量使用，量产爬坡就无从优化良率、压降成本，最后还是落不到经济价值上。

二、光芯片的突围不再是持久战，而是一场生死竞速

国产光芯片的前路，确实难走。

第一道坎是高端制造的工艺壁垒。难在核心设备与材料被卡脖子，难在海外客户的认证高墙，也难在技术路线切换的不确定。可中国高端制造业一路突破过来，不少领域都完成了从落后到赶超。

所以工艺壁垒对勤劳能干的中国人来说，算不上硬约束。CW激光器的替代窗口期，其实就在眼前。中国有全球最完整的光通信产业链，中游模块到下游设备，无源器件到有源芯片，都在手里。

可工艺壁垒上再压一个2-3年的时间限制，难度就是指数级往上翻。

国内下游客户要的光模块速率比海外低1-2个代际，价格也差很多。北美市场的开放窗口只有2-3年，我们的产业得在这点时间里，从追赶状态至少做到跟海外相差不大，难度可想而知。

这场生死竞速里，产业还有一处尴尬：源杰科技、华工科技（垂直一体化）、光迅科技（垂直一体化）这些有芯片能力的企业，港股上市都还在排队，结果撞上这么大的冲击，IPO募资蒙上一层阴影。

怎么沉下心打磨工艺，尽快把良率提上去、把认证拿下来，是这些企业路演中必须回答的问题。这场突围战，过去拼耐力，现在更拼爆发力。